US5U2
4V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U2
4V Drive Nch+SBD MOSFET
전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOT-353T
JEITA Package
SC-113CA
Number of terminal
5
Polarity
Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.27
Total gate charge Qg[nC]
1.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.7
Drive Voltage[V]
4
Reverse voltage VR (Diode) [V]
20
Forward Current IF (Diode) [A]
0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2x2.1 (t=0.85)