ROHM Product Detail

HT8KE6
100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET

HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

Data Sheet 구입 *
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

Product Detail

 
형명 | HT8KE6TB1
상태 | 추천품
패키지 | HSMT8 (Symmetry Dual)
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 3000
최소 포장 단위 | 3000
RoHS | Yes

사양 :

Package Code

HSMT8D (3.3x3.3)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

13

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.056

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.056

Total gate charge Qg[nC]

3.3

Power Dissipation (PD)[W]

14

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

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특징 :

  • Low on - resistance
  • High Power small mold Package (HSMT8)
  • Pb-free plating; RoHS compliant
  • Halogen Free

Supporting Information

 

배경

최근 통신 기지국 및 산업기기에서는 전류치를 낮추어 고효율화를 실현하기 위해, 기존의 12V / 24V 계통에서 48V 계통으로 전원의 고내압화가 추진되고 있습니다. 그리고, 이러한 기기를 냉각시키기 위한 팬 모터에도 48V 계통의 전원이 사용됨에 따라, 스위칭 용도의 MOSFET에는 전압 변동을 고려하여 100V 내압 제품이 요구되고 있습니다. 그러나, 내압을 높이게 되면, 트레이드 오프 관계인 ON 저항도 높아져 효율이 악화되기 때문에 고내압화와 낮은 ON 저항화를 동시에 실현하는 것이 과제로 중요시되고 있습니다. 일반적으로 팬 모터의 경우, 여러 개의 구동용 MOSFET가 사용되고 있으므로, 스페이스 절약의 관점에서 2개의 칩을 1개의 패키지에 탑재한 듀얼 MOSFET의 채용이 가속화되고 있습니다.

개요

로옴의 최신 프로세스와 이면 방열 패키지를 채용함으로써, 업계 최고의 낮은 ON 저항 (Ron)을 달성하였습니다. 또한, 2개의 칩을 1개의 패키지에 탑재함으로써 면적을 삭감할 수 있어, 기기의 스페이스 절약화에 기여합니다.

어플리케이션 예

・통신 기지국용 팬 모터
・FA 기기 등의 산업기기용 팬 모터
・데이터 센터 등의 서버용 팬 모터

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