SG8356WN (신제품)
7µs 단락 허용 오차, 650V 60A, IGBT 베어 다이
SG8356WN (신제품)
7µs 단락 허용 오차, 650V 60A, IGBT 베어 다이
적용: 오토모티브 및 산업용 범용 인버터, 오토모티브용 히터, 릴레이 회로 (예: Pre Charge Relay)
Bare Die 판매에 대해서는 당사 영업 사무소에 문의하십시오. 현재 인터넷 유통업체에서 Bare Die는 판매하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
60
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
특징 :
- 트렌치 라이트 펀치 스루 타입
- 낮은 컬렉터-에미터 포화 전압
- 단락 내량 시간 7μs
Supporting Information
개요
본 제품은 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기용 인버터 등에 최적인 650V 내압 제4세대 IGBT 베어칩입니다.
본 제품은, 프로세스 및 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 전류 밀도를 향상시킴과 동시에 도통손실과 스위칭 손실을 저감하였습니다. 또한, 저손실화와 트레이드 오프 관계인 높은 단락 내량 (Tj＝25℃ 시 7μs)을 확보하여, 어플리케이션의 고효율화와 신뢰성 향상에 기여합니다.
개발 배경
고전압화가 가속화되는 전기자동차의 경우, 메인 인버터 등 대전력을 취급하는 어플리케이션에서 고효율 SiC의 채용이 추진되고 있습니다. 반면에, 차량용 전동 컴프레서나 HV 히터와 같이 전력 용량이 작은 보조기기에서는 스위칭 디바이스로 650V 내압의 IGBT가 널리 채용되고 있습니다. 또한, 산업기기에서도 모터 및 컴프레서 등을 중심으로 실리콘 IGBT가 많이 사용되고 있습니다.
이러한 어플리케이션에서는 에너지 절약화 및 기기의 소형화가 요구됨에 따라, 파워 디바이스에 있어도 신뢰성 향상 및 소형화, 고효율화가 강력하게 요구되고 있습니다. 특히 인버터나 히터 회로에서는 단락 시의 과전류를 검출하여 차단할 때까지의 시간동안 파괴되지 않고 견딜 수 있는 단락 내량의 향상이 반드시 필요합니다.
이러한 상황에서, 본 제품은 디바이스 구조를 개선함으로써 고전압에 대응함과 동시에 낮은 손실과 높은 단락 내량을 양립하고 있습니다.
어플리케이션 예
◇차량용 전동 컴프레서
◇차량용 HV 히터 (PTC 히터, 쿨런트 히터)
◇산업기기용 인버터
