배경

최근 「탈탄소 사회」 및 「탄소 중립」 등 환경 부하 저감을 중시하는 전 세계적인 추세에 따라, 전동화 차량 (xEV)의 보급이 가속화되고 있습니다. 더 효율적인 시스템 구축을 위해, 각종 자동차기기의 인버터 · 컨버터 회로에 탑재되는 파워 반도체에도 다양화가 요구되고 있어, 초저손실 SiC 파워 디바이스 (SiC MOSFET, SiC SBD 등) 및 기존의 Si 파워 디바이스 (IGBT, SJ-MOSFET 등)에서 각각 기술 혁신이 추진되고 있습니다.
로옴은 폭넓은 어플리케이션에 대응하여 효과적인 파워 솔루션을 제공하기 위해, 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스뿐만 아니라, Si 파워 디바이스 및 구동 IC의 기술 · 제품 개발에도 주력하고 있습니다.

개요

「RGWxx65C 시리즈」는 IGBT의 귀환부 (환류 다이오드 / free wheeling diode)에 로옴의 저손실 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (SiC SBD)를 채용한 Hybrid 타입 IGBT로, 기존품 IGBT에서 ON 시의 스위칭 손실 (이하, turn-on 손실)을 대폭 삭감하였습니다. 차량용 충전기에 탑재하는 경우, 기존품 IGBT 대비 67%의 저손실화, Super Junction MOSFET (SJ-MOSFET) 대비 24%의 저손실화를 달성하는 등, 비용 효과가 높아 자동차 · 산업기기 어플리케이션의 저소비전력화에 기여합니다.

특징

1. 기존품 IGBT 대비 67%의 저손실화를 실현하여, 자동차 전장기기 · 산업기기에 최적인 비용 효과 제공

「RGWxx65C 시리즈」는 IGBT의 귀환부 (환류 다이오드 / free wheeling diode)에 로옴의 저손실 SiC SBD를 채용한 Hybrid 타입의 IGBT입니다. Si 패스트 리커버리 다이오드 (Si-FRD)를 채용한 기존품 IGBT보다, turn-on 손실을 대폭 삭감할 수 있어, 차량용 충전기에 탑재하는 경우 기존품 IGBT 대비 67%의 저손실화를 실현합니다. 일반적으로 IGBT보다 손실이 적은 SJ-MOSFET보다도 24% 저손실화가 가능합니다. 변환 효율에 있어서도 폭넓은 동작 주파수에서 97% 이상의 고효율을 확보할 수 있어, 동작 주파수 100kHz 시에는 IGBT 대비 3%의 고효율화를 실현하는 등, 비용 효과가 높아 자동차 · 산업기기 어플리케이션의 저소비전력화에 기여합니다.

2. AEC-Q101에 준거하여, 가혹한 환경에서 사용 가능

「RGWxx65C 시리즈」은 자동차기기 신뢰성 규격 「AEC-Q101」에 준거하여, 자동차 · 산업기기의 가혹한 환경에서도 안심하고 사용할 수 있습니다.

어플리케이션 예

• ・차량용 충전기 (On Board Charger)
• ・차량용 DC/DC 컨버터
• ・태양광 발전 인버터 (파워 컨디셔너)
• ・무정전 전원 장치 (UPS)