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650V 4A Field Stop Trench IGBT - RGT8BM65D

로옴의 IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) 제품은 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화에 기여합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | RGT8BM65DTL
상태 | 공급중
패키지 | TO-252
포장 수량 | 2500
최소 포장 단위 | 2500
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

4

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

71

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

62

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

특징 :

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant