GNP3290TJ-Z (개발중)
EcoGaN™, 650V 6A TO252-J3F, E-모드 Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP3290TJ-Z
GNP3290TJ-Z (개발중)
EcoGaN™, 650V 6A TO252-J3F, E-모드 Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP3290TJ-Z는 650V 인핸스먼트 모드 GaN HEMT입니다. 고속 스위칭 컨버터 및 고밀도 컨버터와 같은 애플리케이션에 적합합니다. ROHM의 EcoGaN™ 라인업의 일환으로, 이 제품은 GaN의 고속 스위칭 성능을 활용하여 애플리케이션의 전력 소비를 줄이고, 주변 부품을 소형화하며, 설계 작업 부하와 부품 수를 줄여 에너지 절약 및 소형 시스템 설계에 기여합니다.
Data Sheet
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
형명 | GNP3290TJ-ZE1
상태 |
개발중
패키지 |
TO252-J3F
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 2500
최소 포장 단위 | 2500
RoHS |
Yes
MSL | 3
사양 :
VDS [V]
650
IDS [A]
6
VGS Rating [V]
7
RDS(on) [mΩ]
290
Qg [nC]
1.3
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
6.6x10.1 (t=2.38)
특징 :
- 650V E-모드 GaN HEMT
- 290mΩ 저항
- 1.3nC 게이트 전하
- HBM ESD Class 1C (JEDEC 표준)
