GNP1070TC-Z
EcoGaN™, 650V 20A DFN8080K, E-mode GaN (갈륨 나이트라이드 / Gallium-Nitride) FET
GNP1070TC-Z
EcoGaN™, 650V 20A DFN8080K, E-mode GaN (갈륨 나이트라이드 / Gallium-Nitride) FET
GNP1070TC-Z는 650V GaN HEMT입니다. 업계 최고 수준의 FOM (Ron*Ciss, Ron*Coss)으로, 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 성능을 최대화시킴으로써 저전력 및 소형화에 기여하는 EcoGaN™ 시리즈 제품입니다. ESD 보호 기능을 탑재하여 고신뢰성 설계에도 기여합니다. 또한, 대전류 대응 및 우수한 방열성으로 범용성이 높은 DFN 패키지를 채용하여, 실장 공정에서의 핸들링이 용이합니다.
Product Detail
사양 :
VDS [V]
650
IDS [A]
20
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
70
Qg [nC]
5.2
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
특징 :
- 650V E-mode GaN FET
- 70mΩ Resistance
- 5.2nC Gate Charge
Supporting Information
배경
탈탄소 사회의 실현을 위해, 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원이나 모터의 효율 개선은 전 세계적인 사회 과제로 중요시되고 있습니다. 이러한 효율 개선의 열쇠가 되는 것이 파워 디바이스이며, 각종 전원의 한차원 높은 고효율화를 위해, SiC (실리콘 카바이드 / 탄화 규소) 및 GaN 등 신재료의 활용이 기대를 모으고 있습니다.
로옴은 2022년에 업계 최고인 8V까지 게이트 내압을 높인 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시하였으며, 2023년 3월에는 GaN 성능을 최대화시키는 제어 IC 기술을 확립하였습니다. 그리고, 더 폭넓은 전원 시스템의 고효율화 및 소형화에 기여하기 위해, 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 개발하였습니다.
개요
본 제품은 Delta Electronics, Inc. (델타 전자)의 관계 회사로서 GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora Semiconductors Inc. (Ancora)와 공동으로 개발하였으며, 650V GaN HEMT의 디바이스 성능 지수 (RDS (ON)×Ciss / RDS (ON)×Coss)에서 업계 최고 수준을 실현하였습니다. 이에 따라 스위칭 손실을 크게 삭감할 수 있어, 전원 시스템의 고효율화가 가능해집니다. 또한, ESD 보호 소자를 내장함으로써 정전 파괴 내량이 3.5kV까지 향상되어, 어플리케이션의 고신뢰화에 기여합니다. 그리고, GaN HEMT의 특징을 활용한 고속 스위칭 동작으로 주변 부품의 소형화에도 기여합니다.
어플리케이션 예
서버 및 AC 어댑터를 비롯한 산업기기에서 민생기기까지의 폭넓은 전원 시스템
