BM3G107MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 70mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
BM3G107MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 70mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
이 제품은 산업기기 시장용 Rank 제품입니다. 이러한 애플리케이션에 최적인 제품입니다. BM3G107MUV-LB는 높은 전력 밀도와 효율이 요구되는 모든 전자 시스템에 최적의 솔루션을 제공합니다. 650V 인핸스먼트 GaN HEMT 및 실리콘 드라이버를 ROHM의 오리지널 패키지에 통합함으로써 기존의 디스크리트 솔루션 대비 PCB 및 와이어 본딩으로 인한 기생 인덕턴스가 대폭 감소되었습니다. 이에 따라 최대 150V/ns의 고속 스위칭 slew rate를 달성할 수 있습니다. 또한, 게이트 구동 강도를 조정 가능하여 낮은 EMI를 실현하며, 다양한 보호 기능과 추가 기능으로 최적화된 비용 및 PCB 사이즈를 제공합니다. 본 IC는 주요 기존 컨트롤러에 대응하도록 설계되어, 슈퍼정션 MOSFET과 같은 기존 디스크리트 파워 스위치를 대체할 수 있습니다.
Product Detail
사양 :
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
2
Quiescent Current (Typ) [μA]
180
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
70
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
특징 :
- Nano Cap™ 통합 5V LDO
- VDD 단자 전압의 폭넓은 동작 범위
- IN 단자 전압의 폭넓은 동작 범위
- 낮은 VDD 대기 및 동작 전류
- 낮은 전파 지연
- 높은 dv/dt 내성
- 조정 가능한 게이트 구동 강도
- 파워 굿 신호 출력
- VDD UVLO 보호
- 과열 셧다운 보호
레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit
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- Evaluation Board - BM3G107MUV-EVK-003
The BM3G107MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G107MUV (GaN FET (650V 70mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET
Videos & Catalogs
