BM3G015MUV-LB (신제품)
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
BM3G015MUV-LB (신제품)
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
본 제품은 산업기기 시장용으로 장기간 공급을 보증하는 제품입니다.
BM3G015MUV-LB는 높은 전력 밀도와 효율을 필요로 하는 모든 일렉트로닉스 시스템에 최적의 솔루션을 제공합니다. 650V 내압 GaN HEMT와 실리콘 드라이버를 오리지널 패키지에 집적함으로써, 기존의 디스크리트 솔루션 대비, PCB와 와이어 본딩으로 인해 발생하는 기생 인덕턴스를 대폭 저감할 수 있습니다. 이에 따라, 150V/ns까지의 높은 스위칭 slew rate를 달성할 수 있습니다. 또한, 조정 가능한 게이트 구동 강도로 Low EMI에 기여하고, 다양한 보호 및 추가 기능으로 토탈 비용과 PCB 사이즈를 최적화합니다. 본 IC는 주요한 기존 컨트롤러 IC에 대응할 수 있도록 설계되어, Super Junction MOSFET와 같은 기존의 디스크리트 파워 스위치를 대체하여 사용할 수 있습니다.
Product Detail
사양 :
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@130 kHz(Typ) [μA]
450
Quiescent Current (Typ) [μA]
150
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
11
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
15
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
150
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
특징 :
- Nano Cap™ Integrated Output Selectable 5V LDO
- Long Time Support Product for Industrial Applications
- Wide Operating Range for VDD Pin Voltage
- Wide Operating Range for IN Pin Voltage
- Low VDD Quiescent and Operating Current
- Low Propagation Delay
- High dv/dt Immunity
- Adjustable Gate Drive Strength
- Power Good Signal Output
- VDD UVLO Protection
- Thermal Shutdown Protection
Reference Design / Application Evaluation Kit
-
- Evaluation Board - BM3G015MUV-EVK-003
The BM3G015MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G015MUV (GaN FET (650V 150mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET.
