BM3G005MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 50mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
최종 판매
BM3G005MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 50mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
제조 중지를 신청중인 제품입니다.
Product Detail
사양 :
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
2.2
Quiescent Current (Typ) [μA]
180
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
50
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
특징 :
- Nano Cap™ 통합 5V LDO
- VDD 핀 전압의 폭넓은 동작 범위
- IN 핀 전압의 폭넓은 동작 범위
- 낮은 VDD 대기 및 동작 전류
- 낮은 전파 지연
- 높은 dv/dt 내성
- 조절 가능한 게이트 구동 강도
- Power Good 신호 출력
- VDD UVLO 보호
- 과열 보호
레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit
-
- Evaluation Board - BM3G005MUV-EVK-003
The BM3G005MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G005MUV (GaN FET (650 V 50 mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET
Videos & Catalogs
