BM3G005MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 50mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
BM3G005MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 50mΩ 2MHz, GaN HEMT 파워 스테이지 IC
본 제품은 산업기기 시장을 위한 제품으로, 해당 애플리케이션에 최적입니다. BM3G005MUV-LB는 높은 전력 밀도 및 효율을 필요로 하는 모든 전자 시스템에 최적의 솔루션을 제공합니다. 650 V enhancement GaN HEMT와 실리콘 드라이버를 ROHM의 오리지널 패키지에 통합함으로써, 기존의 개별 솔루션과 비교하여 PCB 및 와이어 본딩에 의해 발생하는 기생 인덕턴스가 현저히 감소되었습니다. 이를 통해 최대 150 V/ns의 높은 스위칭 slew rate를 달성할 수 있습니다. 한편, 게이트 구동 강도 조절 기능을 통해 낮은 EMI를 실현하고, 다양한 보호 기능 및 기타 추가 기능은 최적화된 비용 및 PCB 크기를 제공합니다. 이 IC는 주요 기존 컨트롤러에 적용할 수 있도록 설계되어, super junction MOSFET과 같은 기존의 개별 파워 스위치를 대체하여 사용할 수 있습니다.
Product Detail
사양 :
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
2.2
Quiescent Current (Typ) [μA]
180
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
50
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
특징 :
- Nano Cap™ 통합 5V LDO
- VDD 핀 전압의 폭넓은 동작 범위
- IN 핀 전압의 폭넓은 동작 범위
- 낮은 VDD 대기 및 동작 전류
- 낮은 전파 지연
- 높은 dv/dt 내성
- 조절 가능한 게이트 구동 강도
- Power Good 신호 출력
- VDD UVLO 보호
- 과열 보호
레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit
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- Evaluation Board - BM3G005MUV-EVK-003
The BM3G005MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G005MUV (GaN FET (650 V 50 mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET
Videos & Catalogs
