Internet Explorer 관련 안내:
로옴 웹 사이트는 IE11 사용을 권장하지 않습니다. 쾌적한 사용을 위해 브라우저를 갱신하여 주십시오.
뉴스
채용 정보
문의
사이트 내 검색
로옴 제품
Cross Reference
온라인 판매처 재고
Global - English
Americas - English
Europe - English
Europe - Deutsch
ASEAN/India - English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
My ROHM 로그인
제품 정보
기술 서포트
어플리케이션
구입 · 서포트
기업 정보・투자가 정보
Sustainability
My ROHM 로그인
제품 정보
기술 서포트
어플리케이션
구입 · 서포트
기업 정보・투자가 정보
Sustainability
Home
FAQ Search
SiC-MOSFET, SiC 모듈 제품에서 게이트 드라이브 회로의 게이트 신호에 허용되는 권장 인덕턴스가 있습니까?
View ALL FAQ
Contact Us
FAQ
SiC-MOSFET, SiC 모듈 제품에서 게이트 드라이브 회로의 게이트 신호에 허용되는 권장 인덕턴스가 있습니까?
구체적인 지침은 제공하지 않습니다.
디바이스의 게이트 단자에서 게이트 드라이브 회로의 바이패스 콘덴서 단자까지의 배선 길이가 가장 영향을 미칩니다.
디바이스의 소스 단자에서 기판 상의 그라운드 패턴까지의 배선 인덕턴스도 고려할 필요가 있습니다.
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
Please Wait...