SiC-MOSFET, SiC 모듈 제품의 구동 게이트 전압이 권장치 (ON 시＋22V~＋18V, OFF 시 -3V~－6V)를 벗어나면 어떻게 됩니까?|FAQ|ROHM Semiconductor - korea - Rohm.com

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FAQ

SiC-MOSFET, SiC 모듈 제품의 구동 게이트 전압이 권장치 (ON 시＋22V~＋18V, OFF 시 -3V~－6V)를 벗어나면 어떻게 됩니까?
- ON 시의 구동 게이트 전압이 15Ｖ를 밑돌면 충분히 ON되지 않으므로, 14Ｖ 이하가 되면 ON 저항의 온도 특성이 (+)에서 (-)로 변합니다.
  이 경우, 고온이 되면 ON 저항이 저하되어 열 폭주의 위험성이 있으므로 반드시 15V 이상이 인가되도록 주의하여 주십시오.
  TZDB는 40V 이상이므로 게이트 파괴의 우려는 없지만, DC에서 정격 (-6V / +22V)를 넘는 전압을 계속 인가하면, 게이트 산화막 계면에 존재하는 트랩의 영향으로 임계치가 서서히 변동합니다.
  순간적인 서지 전압 (300nsec 이내)이라면, 역치 전압 변동의 영향이 작으므로, -10V~+26V의 범위 내에서 허용 가능합니다.