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FAQ
  • SiC 제품 구동 시, 게이트 신호에 overshoot 및 undershoot가 발생하는 이유는 무엇입니까?
    • 기판의 기생 용량 및 기생 인덕턴스 등의 영향으로 인한 LC 공진이 원인이라 생각됩니다. 하기 항목을 확인하여 주십시오.
      ①게이트 드라이브 회로에 탑재된 외장 게이트 저항
      ②게이트 드라이브 회로의 출력 용량
      ③게이트 드라이브 회로 배선의 기생 인덕턴스
      ④SiC-MOSFET의 게이트 용량
      ⑤SiC-MOSFET의 내부 게이트 저항　등
      상기 항목중 하나의 저항이라도 작으면, overshoot 및 undershoot의 최고치가 크고, ringing 감쇠에 시간이 걸립니다.
      또한, 용량이 크면 최고치는 작아지지만, 스위칭 속도가 늦어집니다.
      인덕턴스가 크면 최고치가 커집니다.
      • Products: SiC Power Devices , SiC MOSFET , SiC Power Module , SiC MOSFET Bare Die