기판의 기생 용량 및 기생 인덕턴스 등의 영향으로 인한 LC 공진이 원인이라 생각됩니다. 하기 항목을 확인하여 주십시오. ①게이트 드라이브 회로에 탑재된 외장 게이트 저항 ②게이트 드라이브 회로의 출력 용량 ③게이트 드라이브 회로 배선의 기생 인덕턴스 ④SiC-MOSFET의 게이트 용량 ⑤SiC-MOSFET의 내부 게이트 저항 등 상기 항목중 하나의 저항이라도 작으면, overshoot 및 undershoot의 최고치가 크고, ringing 감쇠에 시간이 걸립니다. 또한, 용량이 크면 최고치는 작아지지만, 스위칭 속도가 늦어집니다. 인덕턴스가 크면 최고치가 커집니다.
