YQ5LAM10CTF
Trench MOS Structure, 100V, 5A, PMDTM, Highly Efficient SBD for Automotive
YQ5LAM10CTF
Trench MOS Structure, 100V, 5A, PMDTM, Highly Efficient SBD for Automotive
The YQ5LAM10CTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temperatures. Ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications.
Product Detail
사양 :
Configuration
Single
Package Code
SOD-128
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
5
IFSM[A]
80
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.77
IF @ Forward Voltage [A]
5
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.025
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
4.7x2.5 (t=1.05)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
특징 :
- High reliability
- Small power mold type
- Low VF and low IR
- Low capacitance
Supporting Information
배경
종류가 다양한 다이오드 중에서도 고효율인 SBD는 각종 어플리케이션에서 채용이 증가하고 있습니다. 특히, Trench MOS 구조의 SBD는 Planar 구조의 SBD에 비해 VF가 낮아지므로 정류 용도 등에서 고효율을 실현할 수 있습니다. 반면에 일반적인 Trench MOS 구조의 경우, trr은 Planar 구조보다 악화되므로 스위칭 용도로 사용할 때 전력 손실이 커진다는 과제가 있었습니다. 로옴은 이러한 과제에 대응하여, 독자적인 Trench MOS 구조를 채용함으로써 트레이드 오프 관계인 VF와 IR을 동시에 저감하였으며, 업계 최고 수준의 trr도 실현한 YQ 시리즈를 개발하였습니다. 앞으로도 로옴은 저내압에서 고내압까지 반도체 디바이스의 품질 향상을 위해 노력함과 동시에, 특징 있는 라인업 강화를 추진하여 어플리케이션의 한차원 높은 소형화와 저소비전력화에 기여해 나갈 것입니다.
개요
「YQ 시리즈」는 로옴의 다이오드 중에서는 처음으로 Trench MOS 구조를 채용하였습니다. 독자적인 구조 설계를 통해 업계 최고 수준의 trr (15ns)을 실현하여, Trench MOS 구조를 채용한 일반품 대비, trr 자체의 손실을 약 37％, 스위칭 손실 전체를 약 26％ 삭감하여, 어플리케이션의 저소비전력화에 기여합니다. 또한, Trench MOS 구조 채용으로 순방향 인가 시에 손실이 되는 VF와 역방향 인가 시에 손실이 되는 IR을 모두 Planar 구조의 기존 SBD에 비해 개선하였습니다. 이에 따라, 정류 용도 등의 순방향으로 사용할 때의 전력 손실과 SBD에서 가장 우려되는 열폭주 리스크를 저감합니다. 이러한 특징으로, 발열이 발생하기 쉬운 차량용 LED 헤드램프의 구동 회로 및 xEV용 DC-DC 컨버터 등 고속 스위칭 어플리케이션에 최적입니다.
어플리케이션 예
・차량용 LED 헤드램프 ・xEV용 DC-DC 컨버터 ・산업기기 전원 ・조명
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