YQ30NL10CD
Trench MOS 구조, 100V, 30A, LPDL, 고효율 SBD
YQ30NL10CD
Trench MOS 구조, 100V, 30A, LPDL, 고효율 SBD
YQ30NL10CD는 낮은 VF와 낮은 IR의 트레이드오프를 개선하도록 설계된 고효율 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 낮은 VF는 고온에서 안정적인 동작을 구현합니다. 스위칭 전원, 프리휠 다이오드 및 역극성 보호 애플리케이션에 적합합니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Configuration
C-Common
Package Code
TO-263 (D2PAK)
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
30
IFSM[A]
150
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.72
IF @ Forward Voltage [A]
15
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.1
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
150
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
특징 :
- 높은 신뢰성
- 파워 몰드 타입
- 캐소드 공통 듀얼 타입
- 낮은 VF 및 낮은 IR
- 낮은 정전용량
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Videos & Catalogs
