로옴 주식회사 (본사 : 교토)의 750V 내압 SiC MOSFET가, AI 서버 전원의 BBU (배터리 백업 유닛)에 채용되었습니다. 생성 AI의 보급을 배경으로 AI 서버 전원의 고전압화 및 HVDC (초고압 직류 송전) 아키텍처로의 이행이 가속화되는 가운데, 차세대 전원 시스템을 구현할 수 있는 SiC 파워 디바이스로서 선정되었습니다.
생성 AI의 보급에 의해 GPU의 고성능화가 가속화됨에 따라, 데이터 센터의 소비전력은 급증하고 있습니다. 이러한 과제에 대응하여 송전 손실의 저감을 목적으로 하는 HVDC 아키텍처로의 이행이 추진되고 있습니다. 이러한 대전력 및 고전압 환경에서는 정전이나 순시정전과 같은 이상 발생 시에 시스템 및 방대한 데이터를 보호하기 위해, 서버랙 단위로 전력을 보상하는 BBU나 CU (캐패시터 유닛)의 역할이 한층 더 중요시되고 있습니다.
이번에 채용된 제품은 750V 내압 SiC MOSFET 「SCT4013DLL」로, AI 서버용 ±400V 전력 공급 아키텍처의 전원부에 탑재되었습니다. 본 제품은 SiC의 특성을 바탕으로 최대 Junction 온도 (Tj) 175℃의 높은 온도 내성을 실현하여, 높은 전력밀도 및 고전압화에 따라 발열량이 증가하는 BBU에 있어서도 안정적인 동작이 가능합니다.
또한, 차세대 800VDC 전력 공급 아키텍처에 있어서는 BBU 내의 배터리팩에 공급되는 전원전압이 560V 정도이므로, 750V 내압 모델인 로옴의 SiC MOSFET를 사용할 수 있습니다.
차세대 AI 서버의 HVDC 전원은, 이상 발생 시에 고전압 · 대전류를 신속하고 저손실로 제어할 수 있는 백업 시스템이 요구됩니다. 이러한 까다로운 요건을 바탕으로, 고내압 · 저손실 · 고온 내성을 겸비한 SiC 파워 디바이스가 전력 제어의 중핵을 담당하는 키 디바이스로서 주목받고 있습니다.
앞으로도 로옴은 AI 서버 및 데이터 센터 시장의 성장에 주목하여 SiC, GaN, 실리콘을 활용한 파워 디바이스의 개발과 공급을 강화해 나갈 예정입니다. 또한, 아날로그 IC 등을 조합한 솔루션 제안을 통해, 전력 효율 향상과 지속 가능한 사회의 실현에 기여해 나갈 것입니다.
＜「EcoSiC™ (에코 에스아이씨)」 브랜드＞
EcoSiC™는 파워 디바이스 분야에서 실리콘 (Si)을 뛰어넘는 성능으로 주목받고 있는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 채용한 디바이스의 브랜드입니다. 로옴은 웨이퍼 제조에서 제조 프로세스, 패키징, 품질 관리 방법에 이르기까지 SiC의 진화에 꼭 필요한 기술을 독자적으로 개발하고 있습니다. 또한, 제조 공정에 있어서도 일관 생산 체제를 채용함으로써, SiC 분야의 리딩 컴퍼니로서 입지를 확립하였습니다.
・EcoSiC™는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
＜관련 정보＞
로옴은 SiC 파워 디바이스의 개요와, 조건 지정을 통해 편리하게 제품을 선정할 수 있는 「Easy Part Finder」, 평가 및 도입을 지원하는 각종 디자인 모델을 Web 사이트에서 공개하고 있습니다. 기술 자료 및 본 건과 관련된 자료는 하기 링크를 참조하여 주십시오.
로옴의 SiC MOSFET, HVDC화가 가속화되는 AI 서버용 BBU에 채용
로옴 주식회사 (본사 : 교토)의 750V 내압 SiC MOSFET가, AI 서버 전원의 BBU (배터리 백업 유닛)에 채용되었습니다. 생성 AI의 보급을 배경으로 AI 서버 전원의 고전압화 및 HVDC (초고압 직류 송전) 아키텍처로의 이행이 가속화되는 가운데, 차세대 전원 시스템을 구현할 수 있는 SiC 파워 디바이스로서 선정되었습니다.
생성 AI의 보급에 의해 GPU의 고성능화가 가속화됨에 따라, 데이터 센터의 소비전력은 급증하고 있습니다. 이러한 과제에 대응하여 송전 손실의 저감을 목적으로 하는 HVDC 아키텍처로의 이행이 추진되고 있습니다. 이러한 대전력 및 고전압 환경에서는 정전이나 순시정전과 같은 이상 발생 시에 시스템 및 방대한 데이터를 보호하기 위해, 서버랙 단위로 전력을 보상하는 BBU나 CU (캐패시터 유닛)의 역할이 한층 더 중요시되고 있습니다.
이번에 채용된 제품은 750V 내압 SiC MOSFET 「SCT4013DLL」로, AI 서버용 ±400V 전력 공급 아키텍처의 전원부에 탑재되었습니다. 본 제품은 SiC의 특성을 바탕으로 최대 Junction 온도 (Tj) 175℃의 높은 온도 내성을 실현하여, 높은 전력밀도 및 고전압화에 따라 발열량이 증가하는 BBU에 있어서도 안정적인 동작이 가능합니다.
또한, 차세대 800VDC 전력 공급 아키텍처에 있어서는 BBU 내의 배터리팩에 공급되는 전원전압이 560V 정도이므로, 750V 내압 모델인 로옴의 SiC MOSFET를 사용할 수 있습니다.
차세대 AI 서버의 HVDC 전원은, 이상 발생 시에 고전압 · 대전류를 신속하고 저손실로 제어할 수 있는 백업 시스템이 요구됩니다. 이러한 까다로운 요건을 바탕으로, 고내압 · 저손실 · 고온 내성을 겸비한 SiC 파워 디바이스가 전력 제어의 중핵을 담당하는 키 디바이스로서 주목받고 있습니다.
앞으로도 로옴은 AI 서버 및 데이터 센터 시장의 성장에 주목하여 SiC, GaN, 실리콘을 활용한 파워 디바이스의 개발과 공급을 강화해 나갈 예정입니다. 또한, 아날로그 IC 등을 조합한 솔루션 제안을 통해, 전력 효율 향상과 지속 가능한 사회의 실현에 기여해 나갈 것입니다.
＜「EcoSiC™ (에코 에스아이씨)」 브랜드＞
EcoSiC™는 파워 디바이스 분야에서 실리콘 (Si)을 뛰어넘는 성능으로 주목받고 있는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 채용한 디바이스의 브랜드입니다. 로옴은 웨이퍼 제조에서 제조 프로세스, 패키징, 품질 관리 방법에 이르기까지 SiC의 진화에 꼭 필요한 기술을 독자적으로 개발하고 있습니다. 또한, 제조 공정에 있어서도 일관 생산 체제를 채용함으로써, SiC 분야의 리딩 컴퍼니로서 입지를 확립하였습니다.
・EcoSiC™는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
＜관련 정보＞
로옴은 SiC 파워 디바이스의 개요와, 조건 지정을 통해 편리하게 제품을 선정할 수 있는 「Easy Part Finder」, 평가 및 도입을 지원하는 각종 디자인 모델을 Web 사이트에서 공개하고 있습니다. 기술 자료 및 본 건과 관련된 자료는 하기 링크를 참조하여 주십시오.
・ 어플리케이션 노트 : 제4세대 SiC MOSFET 디스크리트 패키지의 특성과 회로 설계 시 주의점 (한국어판)
・ 어플리케이션 노트 : 제4세대 SiC MOSFET 사용 시의 어플리케이션 메리트 (영문판)
・ 화이트페이퍼 : 로옴의 AI 서버용 800VDC 구성 솔루션 (영문판)
・ 대담 기사 : 심각해지는 데이터 센터의 전력 문제, 델타와 로옴이 HVDC에 본격적으로 나서는 이유 (영문판)
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