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10Gbps 이상의 고속 I/F에 대응하는 ESD 보호 다이오드 개발

※2026년 3월 26일 로옴 조사

<개요>

RESDxVx series

로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 업계 최고 수준의 낮은 다이내믹 저항 (Rdyn)※1과 초저용량을 동시에 실현한 ESD (정전기 방전) 보호 다이오드※2RESDxVx 시리즈」를 개발하였습니다. 고속 데이터 통신을 사용하는 폭넓은 어플리케이션에 사용 가능합니다.
10Gbps 이상의 고속 통신 인터페이스에는 신호 열화를 최소한으로 억제함과 동시에 높은 IC 보호 성능을 발휘할 수 있는 ESD 보호 다이오드가 요구됩니다. 신제품은 단자간 용량※3을 0.24pF (양방향) 및 0.48pF (단방향)의 초저용량으로 실현하였습니다. 또한, 트레이드 오프 관계인 다이내믹 저항을 0.28Ω까지 저감하였습니다. 일반품 대비 클램프 전압※4을 약 40% 억제하여 높은 IC 보호 성능을 확보하였습니다.

초저용량 ESD 보호 다이오드의 다이내믹 저항 비교

AI 서버 및 5G / 6G 통신기기 등의 산업기기, 노트북 및 게임기와 같은 민생기기 등 고속 데이터 통신을 사용하는 다양한 기기의 신뢰성 향상에 기여합니다. 또한, DFN1006-2W 패키지를 채용한 「RESDxVxBASAFH」와 「RESDxVxUASAFH」는 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 제품입니다. SerDes※5 통신을 사용하는 ADAS (첨단 운전자 지원 시스템) 및 AD (자율주행)용 카메라, ECU (엔진 제어 유닛) 등에도 전개 가능합니다.
본 제품은 2026년 3월부터 양산을 개시하였습니다 (샘플 가격 70엔 / 개, 세금 불포함). 온라인 판매에도 대응하여 Chip 1 Stop, CoreStaff Online 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능합니다.
앞으로도 로옴은 저용량 ESD 보호 다이오드 및 TVS 다이오드의 라인업을 강화하여, AI 서버 및 통신 인프라, 자율주행 시스템과 같은 일렉트로닉스 기술의 발전에 기여함으로써, 안전하고 안심할 수 있는 쾌적한 디지털 사회의 실현에 기여해 나갈 것입니다.

<배경>

최근, 산업기기 및 자동차기기 시장에서는 고속 신호 전송의 보급 및 전장기기의 소형 · 고성능화가 가속화되고 있습니다. 이에 따라, 시스템 (기판 · 모듈) 레벨에서 요구되는 ESD 대책은 한층 더 까다로워지고 있습니다. 고기능화와 미세화의 진전에 따라 IC의 과전압 (EOS) 및 ESD 내성은 저하되는 경향이 있기 때문에, 고속 통신 시 신호 열화를 억제하기 위해 「저용량」과 「낮은 다이내믹 저항에 의한 높은 IC 보호 성능」을 동시에 실현한 외장 ESD 보호 소자의 수요가 높아지고 있습니다.
특히, 10Gbps 이상의 차세대 통신에서는 미세한 기생 용량의 차이가 통신 파형에 큰 영향을 미치게 됩니다. 그러나, 기생 용량을 작게 억제하면 트레이드 오프 관계인 다이내믹 저항이 높아지게 되어, 통신 품질과 IC 보호를 동시에 실현하는 것이 과제로서 중요시되고 있습니다.
로옴은 이러한 과제를 해결하여 한층 더 고속 통신에 대응할 수 있는 제품으로서, 저용량과 동시에 다이내믹 저항을 억제한 RESDxVx 시리즈를 개발하였습니다.

<제품 라인업>

품명 Data Sheet 절대 최대 정격 (Ta=25℃) 전기적 특성 (Ta=25℃) 극성 오토모티브
대응
AEC-Q101
패키지
[mm]
피크
펄스
전류
IPP
(Max.)
[A]
ESD
내량
VESD
(Max.)
[kV]
접합부
온도
Tj
(Max.)
[℃]
스탠드
오프
전압
VRWM
(Max.)
[V]
브레이크
다운
전압
VBR
(Typ.)
[V]
다이내믹
저항
Rdyn
(Typ.)
(Ipp=10A)
[Ω]
단자간
용량
Ct (Typ.)
(f=1MHz)
[pF]
NewRESD3V3BAED PDF ±6 ±15 150 3.3 ±9.0 0.28 0.22 양방향 DSN0603-2J Package
DSN0603-2J
(0.6×0.3, H=Max.0.3)
NewRESD5V0BAED PDF 5.0
☆RESD3V3UAED - 6 3.3 8.3 0.15 0.48 단방향
☆RESD5V0UAED - 5.0
☆RESD3V3BCED - ±6 ±14 3.3 ±7.0 0.36 0.28 양방향
☆RESD3V6BCED - 3.6
NewRESD3V3UCED PDF 6 3.3 6.3 0.17 0.55 단방향
NewRESD3V6UCED PDF 3.6
NewRESD3V3BASAFH PDF ±6 ±15 150 3.3 ±9.0 0.30 0.24 양방향 DFN1006-2W PackageDFN1006-2W
(1.0×0.6, H=Max.0.4)
NewRESD5V0BASAFH PDF 5.0
NewRESD3V3UASAFH PDF 6 3.3 8.0 0.25 0.48 단방향
NewRESD5V0UASAFH PDF 5.0

☆ : 개발중

<어플리케이션 예>

USB4, USB3.x, Thunderbolt 4, HDMI, DisplayPort, PCI Express, LVDS, MIPI D-PHY / C-PHY 및 차량용 SerDes, 차량용 이더넷 (10 / 100 / 1000Mbps) 등 각종 인터페이스 탑재 기기에 사용 가능합니다.
◆산업기기 : AI 서버, 데이터 센터, 라우터, 광 트랜시버, 5G / 6G 통신 대응 기지국, FA 기기용 카메라 등
◆민생기기 : PC, 서버, USB 동글, 스마트폰, 태블릿, 게임기, AV 기기, 통신용 안테나 등
◆자동차기기 : ADAS (첨단 운전자 지원 시스템) / AD (자율주행) / 서라운드뷰 / 리어뷰용 카메라, 차량 인포테인먼트 시스템, 바디 제어 ECU, 헤드 유닛 (오디오, 디스플레이) 등

<온라인 판매 정보>

판매 시기 : 2026년 3월부터
판매 사이트 : Chip 1 Stop, CoreStaff Online
온라인 부품 유통 사이트에서 순차적으로 판매

1개부터 구입 가능

  • Chip 1 Stop
  • CoreStaff Online

판매 대상 품명
DSN0603-2J 패키지 : RESD3V3BAED, RESD5V0BAED, RESD3V3UCED, RESD3V6UCED
DFN1006-2W 패키지 : RESD3V3BASAFH, RESD5V0BASAFH, RESD3V3UASAFH, RESD5V0UASAFH

<용어 설명>

※1 : 다이내믹 저항 (Dynamic Resistance)
ESD 보호 다이오드가 IC를 보호할 때 전류의 변화에 따라 전압이 얼마나 증가하는지를 나타내는 지표로, 동작 저항이라고도 한다. 수치가 작을수록, 동일한 방전 전류가 흘러도 단자 전압의 상승을 작게 억제할 수 있기 때문에 IC에 부하되는 전기적 스트레스를 경감하여 보호 성능을 높일 수 있다.
※2 : ESD 보호 다이오드
과전압 및 서지, ESD (Electro-Static Discharge : 정전기 방전)로부터 회로를 보호하기 위한 반도체 소자. 돌발적인 전압 및 스파이크 (서지)를 흡수하여, 회로의 파손 및 오동작을 방지한다. 자동차기기가 사용되는 환경에서는 가혹한 전기적 변동에 대한 보호가 중요하다.
※3 : 단자간 용량 (Capacitance Between Terminals)
전자부품에서 발생하는 불필요한 용량 성분. 단자간 용량이 크면 고속 통신 시에 신호가 열화되기 때문에, 차량 통신에서는 단자간 용량을 저감하는 것이 중요하다.
※4 : 클램프 전압
ESD 보호 다이오드가 서지 등으로 인한 과전압을 억제할 때, 회로 내에서 유지되는 전압. 이 전압이 낮을수록 회로 및 기기를 한층 더 효과적으로 보호할 수 있어 자동차기기의 신뢰성이 높아진다.
※5 : SerDes
2개의 IC를 세트로 사용하여 대용량 데이터를 고속으로 전송할 수 있는 통신 방식. 송신 측의 Serializer에서 여러 개의 신호 데이터를 1개의 고속 직렬 신호로 변환하여 송신하고, 이 신호를 수신한 Deserializer에서 본래의 데이터로 복원한다. 대량의 데이터를 수 Gbps에서 수십 Gbps의 고속으로 통신할 수 있어 PC 및 서버, 차량용 카메라 영상 등의 고속 인터페이스에서 널리 사용된다.

<신제품 프레젠테이션 "Featured Products">

Featured Products
고속 인터페이스 대응
ESD 보호 다이오드 RESDxVx 시리즈 (PDF : 0.7MB)