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연구 개발 센터장 IEEE 시니어 멤버로 승격!

IEEE

IEEE란?

IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineer)는 미국에 본부를 둔, 전기・정보 공학 분야에서 세계 최대 규모의 학술 연구 단체 및 기술 표준화 기관입니다.
전 세계 160개국 이상, 40만명 이상의 회원을 보유하고 있으며, 분야별로 39개의 분과회로 나누어져, 논문집 출판이나 국제 회의 개최, 표준 규격 책정, 회원 커뮤니케이션 지원 등을 실시하고 있습니다.
1963년 설립 당시에는 전기・전자, 통신, 반도체 등의 분야를 중심으로 활동했지만, 최근에는 로보틱스・자동화 및 자동차 관련 기술 등 주변 영역으로도 확대되었습니다.

시니어 멤버란?

시니어 멤버는 회원 전체의 10% 정도만 보유하고 있는, IEEE 회원 중에서도 최고 레벨의 등급입니다.
승격을 위해서는 「IEEE 관련 분야의 기술자・교육자・기술 관라자로, 적어도 10년 이상의 전문 업무에 종사하고, 그중 5년에 걸쳐 중요한 업적을 이루어야 한다」는 조건을 만족하고, Fellow 멤버, 시니어 멤버, Honorary 멤버 중 한가지 자격을 지닌 3명으로부터의 추천이 필요합니다.
시니어 멤버로의 승격은 파워 일렉트로닉스 기술이나 시뮬레이션 연구 성과가 인정되는 결과입니다.
즉, 로옴 R&D 활동의 레벨이 높다는 점을 인정받은 증거라고도 할 수 있습니다.

멤버의 주요 종류와 등급

IEEE Japan Council HP에 근거하여 작성)

추천장에 게재된 연구 개발 성과

1.파워 일렉트로닉스 기술 : 2015년~현재

관련 논문

[1] J. Kashiwagi, A. Yamaguchi, Y. Moriyama, and K. Nakahara, “Hysteretic Control Embedded Boost Converter Operating at 25-MHz Switching”, IEEE Trans. Circuits and Systems II: Exp. Briefs, Vol.66, pp. 101 (2019).

[2] Y. Nakakohara, H., T. M. Evans, T. Yoshida, M. Tsuruya, and K. Nakahara, "Three-Phase LLC Series Resonant DC/DC Converter Using SiC MOSFETs to Realize High-Voltage and High-Frequency Operation", IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.63, pp.2103 (2016)

[3] Miyazaki, H. Otake, Y. Nakakohara, M. Tsuruya, and K. Nakahara, “A Fanless Operating Trans-Linked Interleaved 5 kW Inverter Using SiC MOSFETs to Achieve 99% Power Conversion Efficiency”, IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.65, p.9429 (2018).

2.파워 일렉트로닉스의 시뮬레이션 기술 : 2013년~현재

관련 논문

[1] H. Sakairi, T.Yanagi, H. Otake, N. Kuroda, H. Tanigawa, and K. Nakahara, “Measurement Methodology for Accurate Modeling of SiC MOSFET Switching Behavior Over Wide Voltage and Current Ranges”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.33, pp.7314 (2018).

[2] Y. Nakamura, T. M. Evans, N. Kuroda, H. Sakairi, Y. Nakakohara, H. Otake, and K. Nakahara, “Electrothermal Cosimulation for Predicting the Power Loss and Temperature of SiC MOSFET Dies Assembled in a Power Module”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.35, pp.2950 (2020).

[3] J. Kashiwagi, H. Sakairi, H. Otake, Y. Nakakohara, and K. Nakahara, “Magnetic Near-Field Strength Prediction of a Power Module by Measurement-Independent Modeling of Its Structure”, IEEE Access, Vol.8, pp.101915 (2020).

연구 개발 센터장 프로필

Ken Nakahara
1995년 입사. 갈륨 비소 (GaAs)계 레이저 다이오드 개발 및, 산화 아연 (ZnO)계 LED, 질화 갈륨 (GaN) 파워 디바이스, 탄화 규소 (SiC) 파워 디바이스 연구에 종사.
2019년부터 연구 개발 센터의 센터장으로서, 신소재 디바이스와 더불어 파워 모듈 및 시스템, 시뮬레이션 기술 등 다양한 연구를 주도하고 있다.

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