R6009ENJ
10V 구동 타입 Nch MOSFET
R6009ENJ
10V 구동 타입 Nch MOSFET
전계 효과 트랜지스터 MOSFET입니다. 미세 프로세스를 채용한 「초저 ON 저항 디바이스」를 통해 폭넓은 분야에서 응용 가능한 파워 MOSFET를 제공합니다. 용도에 따라 소형 · 하이파워 · 복합화가 가능한 풍부한 라인업을 구비하여 다양한 시장 요구에 대응합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
9
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.5
Total gate charge Qg[nC]
23
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
380
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K7409
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
13.1x10.1 (t=4.7)
특징 :
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Design Resources
Documents
Technical Articles
Tools
| Type | Title | Last Updated |
|---|---|---|
| Calculation Tools | 2025/04/22 | |
| Calculation Tools | 2025/04/22 | |
| Models | 2023/05/08 | |
| Models | 2021/06/02 | |
| Characteristics Data | 2016/11/11 | |
| Models | 2013/10/03 | |
| Models | 2013/09/26 | |
| 2D/3D/CAD | - |
Packaging & Quality
Videos & Catalogs
