BSM250D17P2E004 - 기술 자료

BSM250D17P2E004는 로옴의 SiC-DMOSFET와 SiC-SBD로 구성된 Full SiC의 half bridge 모듈입니다. 고온 고습 바이어스 시험 (HV-H3TRB)에서 1,000 시간을 초과하여도 절연 파괴를 일으키지 않는 고신뢰성을 실현하였습니다. 이에 따라, 고온 고습 환경에서도 안심하고 1700V의 고내압을 취급할 수 있습니다. 옥외 발전 시스템 및 충방전 시험기 등의 평가 장치를 비롯한 산업기기용 전원의 인버터, 컨버터에 최적인 제품입니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

User's Guide

Evaluation Board for E-type Full SiC Module with 2nd Generation 1700V SiC-MOSFET
 
This document describes the usage of Evaluation Board for Full SiC Module, BSMGD2G17D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 2nd Generation 1700V SiC-MOSFET in E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

Application Note

Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
 
This application note explains cautions regarding the temperature measurement. The content of this application note is generally applicable, irrespective of the types of semiconductor devices.
Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
 
This application note explains cautions regarding the temperature measurement Using Forward Voltage of PN Junction. The content of this application note is generally applicable, irrespective of the types of semiconductor devices.
열 모델이란 (SiC 파워 디바이스)
 
열 모델 (서멀 모델)에 대한 설명입니다.
열 모델의 사용 방법 (SiC 파워 디바이스)
 
열 모델 (서멀 모델)의 사용 방법에 대한 설명입니다.
Method for Monitoring Switching Waveform
 
This application note explains how to correctly monitor the switching waveforms of the power device element such as switching power supply or a motor drive circuit.
Application Note for SiC Power Devices and Modules
 
Learn more about silicon carbide and its use in ROHMs SiC Power Devices and Modules.