BM3GF02MUV-LBZ (개발중)
650V GaN HEMT 내장 PFC 컨트롤러 IC
BM3GF02MUV-LBZ (개발중)
650V GaN HEMT 내장 PFC 컨트롤러 IC
본 제품은 산업기기 시장을 위한 랭크 제품입니다. 본 어플리케이션 용도에 최적인 제품입니다. BM3GF01MUV-LBZ, BM3GF02MUV-LBZ는 스위칭 소자로 동작하는 650 V GaN HEMT와 역률 보정 컨버터 (Power Factor Correction: PFC)를 내장하여 역률 개선이 필요한 모든 제품에 대해 콤팩트하고 최적의 시스템을 제공합니다. PFC IC에는 경계 전도 모드 제어를 채용하여 제로 전류 검출에 의해 스위칭 손실 저감 및 노이즈 저감을 실현했습니다. GaN HEMT 내장으로 소형화 및 고효율에 기여합니다. 또한 본 IC는 ROHM의 GaN HEMT 내장 QR IC와의 조합에 의해 PFC ON/OFF를 외부에 제어할 수 있습니다. PFC가 불필요한 대기 시 PFC를 정지하여 낮은 대기전력에 기여합니다.
Product Detail
사양 :
Controller Type
PFC
Channel
1
Zero Detect
Auxiliary Winding
W/W Input IEC61000-3-2 Class-C Support
Yes (LowTHD)
Vin1 (Typ.)[V]
2.5
Reference Voltage Accuracy (%)
1.5
Brown Out
No
VCC Discharge
Yes
OVP System
1 way
FET
-
VS Pin Over Voltage Protection (L/A)
Auto Restart
Vin1(Max.)[V]
38
VS Short Protection (L/A)
Auto Restart
BR PIN
No
Startup VOUT Overshoot Countermeasure Function
Yes
SW Frequency (Max.)[kHz]
250
Light Load mode
Yes
EN
Yes
Thermal Shut-down
Yes
Vmax (DrainMax) [V]
650
FET Withstand Voltage [V]
650
Under Voltage Lock Out
Yes
On Resistor (MOSFET)[Ω]
0.07
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
특징 :
- 650 V 내압 GaN HEMT 내장
- 650 V 스타트업 회로 내장
- 바운더리 전도 모드 PFC
- 턴 오프 Slew Rate 조정 Pin
- 저 THD 회로 내장
- PFCOFF Pin에 의한 ON/OFF 제어
- VCC Pin의 UVLO 기능
- 보조 권선에 의한 ZCD
- VS Pin에 의한 정적 OVP 기능
- VS Pin에 의한 Error Amplifier 입력 단락 보호
- 스타트업 시 과전압 Boost 저감 기능
- 사이클 당 과전류 보호
