R6003KND4 (신제품)
600V 1.3A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET

R6009KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

Product Detail

 
형명 | R6003KND4TL1
상태 | 추천품
패키지 | SOT-223-3
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 4000
최소 포장 단위 | 4000
RoHS | Yes

사양 :

Package Code

SOT-223-3

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

1.3

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.3

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.3

Total gate charge Qg[nC]

8

Power Dissipation (PD)[W]

7.8

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

240

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

6.5x7.0 (t=1.8)

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특징 :

  • Low on-resistance
  • Ultra fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant

Supporting Information

 

배경

최근, 조명의 소형 전원이나 펌프의 모터에서는 고기능화에 따라 소형화가 요구되고 있습니다. 이에 따라, 이러한 어플리케이션의 스위칭 용도에 꼭 필요한 MOSFET에 있어서도 소형 제품의 수요가 높아지고 있습니다.
Super Junction MOSFET는 일반적으로 고내압 및 낮은 ON 저항 특성을 최적으로 유지함과 동시에 소형화를 실현하는 것은 어려웠습니다. 이러한 상황에서 로옴은 탑재 칩의 형상을 개선함으로써, 기존품의 성능을 유지함과 동시에 소형화 및 박형화를 실현한 SOT-223-3 패키지의 기종을 개발하였습니다.

개요

본제품은 기존의 TO-252 패키지 (6.60mm×10.00mm×2.30mm) 대비 면적 약 31%, 두께 약 27%를 삭감할 수 있어, 어플리케이션의 소형화 및 박형화에 기여합니다. 또한, TO-252 패키지의 기판 상의 배선 패턴 (랜드 패턴)을 사용할 수 있으므로, 기존의 회로 기판을 그대로 사용할 수 있습니다.

어플리케이션 예

조명, 에어컨, 냉장고 등

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