GNE1008TB (개발중)
EcoGaN™, 150V 30A DFN5060, E-mode GaN (갈륨 나이트라이드 / Gallium-Nitride) HEMT
GNE1008TB (개발중)
EcoGaN™, 150V 30A DFN5060, E-mode GaN (갈륨 나이트라이드 / Gallium-Nitride) HEMT
GNE1008TB는 8V 게이트 - 소스 전압의 150V GaN HEMT입니다. 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 성능을 최대한으로 발휘시킴으로써, 저전력 · 소형화에 기여하는 EcoGaN™ 시리즈 제품입니다. 전원 효율은 1MHz의 고주파 대역에서도 96.5% 이상을 실현하였습니다. 또한, 대전류 대응 및 방열성이 우수하고, 범용성이 높은 DFN 패키지를 채용하여, 실장 공정에서의 핸들링이 용이합니다. Looking for the Gate Driver inspiring GaN HEMT performance? → GaN용 게이트 드라이버
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
VDS [V]
150
IDS [A]
30
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
8.5
Qg [nC]
7
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
특징 :
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
Videos & Catalogs
