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SiC의 디스크리트 제품과 모듈 제품에서 드레인 - 소스 정격전류가 다른 이유는 무엇입니까?
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FAQ
SiC의 디스크리트 제품과 모듈 제품에서 드레인 - 소스 정격전류가 다른 이유는 무엇입니까?
사용 온도 조건이 다르기 때문입니다.
모듈 : Junction 온도 (Tj) 150℃, 케이스 온도 (Tc) 60℃
MOSFET : Junction 온도 (Tj) 175℃, 케이스 온도 (Tc) 25℃
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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