개요
SiC MOSFET와 SiC SBD를 사용한 "Full SiC" 파워 모듈 양산 개시!
로옴의 독자적인 전계 완화 구조 및 스크리닝법을 개발함으로써 디바이스의 신뢰성을 확보하여, 세계 최초로 "Full SiC" 파워 모듈의 양산 체제를 확립하였습니다.
자사의 SiC SBD · SiC MOSFET를 탑재하여 기존의 Si IGBT 대비 100kHz 이상의 고주파 동작을 실현할 수 있습니다.
특징 스위칭 손실 80% 이상 저감
Full SiC 파워 모듈은 SiC의 고속 성능을 최대한으로 발휘시켰습니다.
Si IGBT에 비해 스위칭 손실을 대폭 저감할 수 있습니다.
특징
- 고속 스위칭 가능
- 낮은 스위칭 손실
- 고속 리커버리
- 낮은 인덕턴스 설계
고속 스위칭 동작 시에도 저손실 실현
내부 회로도
라인업
| 품명 | 절대 최대 정격 | 인덕 턴스 (nH) |
패키지 | 서미 스터 |
내부 회로도※ | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (A) |
VGS (V) |
ID (V) [Tc= 60°C] |
Tj max (°C) |
Tstg (°C) |
Visol (V) [AC 1min.] |
|||||
| BSM080D12P2C008 | 1200 | -6 ~22 |
80 | 175 | -40 ~ 125 |
2500 | 25 | C type 45.6 × 122 × 17mm |
- |  |
| BSM120D12P2C005 | 120 | |||||||||
| BSM180D12P3C007 | -4 ~22 |
180 | ||||||||
| BSM180D12P2E002 | -6 ~22 |
180 | 13 | E Type 62 × 152 × 17mm |
○ |  |
||||
| BSM300D12P2E001 | 300 | |||||||||
| 개발중 BSM400D12P3G002 | -4 ~22 |
400 | 10 | G Type 62 × 152 × 17mm |
||||||
| 개발중 BSM600D12P3G001 | 600 | |||||||||
※Chopper 타입도 구비하고 있습니다. 자세한 사항은 영업으로 문의하여 주십시오.
■External Dimensions
평가 보드
Full SiC 파워 모듈을 평가할 수 있는 게이트 드라이브 평가 보드를 구비하고 있습니다.
특징：
- 미러 클램프 기능 내장
- 0V⇔+18V, -3V⇔+18V 게이트 구동 선택 가능
（부 바이어스 사용 시에는 부품의 탈착 작업이 필요합니다.）
| P/N | BW9499H-EVK-01 | BW9499H-EVK-02 | BW9499H-EVK-03 | BP59A8H-EVK-01 | BP59A8H-EVK-02 | 개발중BP59A8H-EVK-03 | 개발중BP59A8H-EVK-04 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiC Module |
BSM180D12P3C007 | BSM080D12P2C008 BSM120D12P2C005 |
BSM300D12P2E001 | BSM600D12 P3G001 |
BSM400D12 P3G002 |
||
 |
 |
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| Appea rance |
 |
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| Gate Drive IC | BM6101FV-C | ||||||
| RG ON | 6.8Ω | 2.2Ω | 0.01Ω | 1.8Ω | 2.2Ω | ||
| RG OFF | 8.2Ω | 3.9Ω | 0.2Ω | 1.8Ω | 2.2Ω | ||
| CGS | - | 5.6nF | 5.6nF | - | - | ||
| Gate Turn Off | Minus | Zero | Minus | Zero | Minus | Minus | Minus |
| Recom mended VGS |
+18V / -2V | +18V / 0V | +18V / -3V | +18V / 0V | +18V / -3V | +18V / -2V | +18V / -2V |
자세한 정보가 필요한 경우에는, 별도로 문의하여 주십시오.
어플리케이션
- 고전압 모터 드라이브
- 산업기기용 인버터 / 컨버터, E-모빌리티
- 태양광 / 풍력 발전, 전원 유닛, 유도 가열 장치
등