SiC (실리콘 카바이드)는 현재의 주류인 Si (실리콘) 파워 반도체 소자에 비해 스위칭 손실이 작아, 고온 영역에서도 전기적 특성이 우수합니다.
특징
- 전력 손실 대폭 삭감, 스위칭 손실 73% 저감
(Si IGBT 비교, 30kHz 구동 시) - 시스템의 소형화에 기여
- 기생 다이오드의 역회복 동작이 매우 작음
| 정격전압 | ON 저항 |
|---|---|
| 650V | 120mΩ |
| 1200V | 45mΩ~450mΩ |
| 1700V | 100mΩ~1150mΩ |
차세대 제3세대 SiC MOSFET의 특징
제2세대 SiC MOSFET 대비
- ON 저항 50%※저감
- 입력용량 (Ciss) 35%※저감
(※동일 칩 사이즈 비교)
라인업
| 정격전압 | ON 저항 |
|---|---|
| 650V | 17mΩ~120mΩ |
| 1200V | 22mΩ~160mΩ |
사용회로 예
어플리케이션 예 : 산업기기 보조 전원용
응용 예
정격전압 600V, 특히 1000V 이상의 응용 분야에서 사용 가능합니다.
- 산업기기
- 에어컨 인버터
- 태양광 발전용 인버터
- 전기 자동차 (EV) 인버터
