Si로는 실현이 어려운 극소의 역회복 시간 (trr)으로 고속 스위칭이 가능합니다.
역회복 전하량 (Qrr)이 작으므로 스위칭 손실이 저감되어, 기기의 소형화에 기여합니다.

또한, Si 패스트 리커버리 다이오드의 trr은 온도 상승에 따라 증대하는 반면, SiC는 거의 일정한 특성을 유지할 수 있습니다.
고온 동작 시에도 스위칭 손실을 악화시키지 않고, 동작이 가능합니다.

온도에 대한 특성 변동이 Si 에 비해 작으므로, 안정된 특성으로 사용이 가능합니다. 또한 Si 의 패스트 리커버리 다이오드와는 반대로 순방향 전압이 (+) 온도 계수이므로, 소자의 병렬 접속이 용이합니다. 병렬 접속 시의 열 폭주 방지에 기여합니다.

「품질 제일」을 기업 목적으로 하는 로옴은 SiC 생산에 있어서도 수직 통합 생산 체제를 확립하고 있습니다. 2009년에는 독일의 SiCrystal사를 그룹사로 영입하여, 웨이퍼에서 패키지 제조까지 모든 프로세스에서 고품질 활동을 전개하고 있습니다. 전세계에서 통용되는 제조 기술력, 안정된 생산력과 더불어, 코스트 경쟁력을 향상시킴으로써 신제품의 장기간 안정 공급을 위해 노력하고 있습니다.