업계 최고 수준※의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT 양산 개시! 서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템의 고효율화 및 소형화에 최적
※2023년 4월 27일 로옴 조사
2023년 4월 27일
<개요>
로옴 주식회사 (이하, 로옴)는 서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템에 최적인 650V 내압 GaN (갈륨 나이트라이드 / 질화 갈륨) HEMT※1 「GNP1070TC-Z」, 「GNP1150TCA-Z」의 양산을 개시하였습니다.
신제품은 Delta Electronics, Inc. (이하, 델타 전자)의 관계 회사로서 GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora Semiconductors Inc. (이하, Ancora)와 공동으로 개발하였으며, 650V GaN HEMT의 디바이스 성능 지수 (RDS (ON)×Ciss / RDS (ON)×Coss※2)에서 업계 최고 수준을 실현하였습니다. 이에 따라 스위칭 손실을 크게 삭감할 수 있어, 전원 시스템의 고효율화가 가능해집니다. 또한, ESD※3 보호 소자를 내장함으로써 정전 파괴 내량이 3.5kV까지 향상되어, 어플리케이션의 고신뢰화에 기여합니다. 그리고, GaN HEMT의 특징을 활용한 고속 스위칭 동작으로 주변 부품의 소형화에도 기여합니다.
신제품은 2023년 4월부터 양산을 개시 (샘플 가격 5,000엔 / 개, 세금 불포함)하였으며, Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능합니다.
로옴은 어플리케이션의 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 「EcoGaN™ 시리즈」로 라인업하여, 디바이스 성능을 한층 더 향상시키기 위해 노력하고 있습니다. 또한, 디바이스 개발과 더불어, 전략적 파트너십 체결 및 공동 개발을 추진하여 어플리케이션의 고효율화 및 소형화를 실현함으로써 사회적 과제 해결에 기여하고 있습니다.
<배경>
탈탄소 사회의 실현을 위해, 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원이나 모터의 효율 개선은 전 세계적인 사회 과제로 중요시되고 있습니다. 이러한 효율 개선의 열쇠가 되는 것이 파워 디바이스이며, 각종 전원의 한차원 높은 고효율화를 위해, SiC (실리콘 카바이드 / 탄화 규소) 및 GaN 등 신재료의 활용이 기대를 모으고 있습니다.
로옴은 2022년에 업계 최고※인 8V까지 게이트 내압을 높인 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시하였으며, 2023년 3월에는 GaN 성능을 최대화시키는 제어 IC 기술을 확립하였습니다. 그리고, 더 폭넓은 전원 시스템의 고효율화 및 소형화에 기여하기 위해, 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 개발하였습니다.
<EcoGaN™>
EcoGaN™은 GaN의 성능을 최대화시킴으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 모두 지향하여, 저전력 · 소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스입니다.
전원 및 트랜스 등을 취급하는 대만 델타 전자 (Delta Electronics, Inc.)의 관계 회사로, GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora는 2022년 7월에 설립된 벤처 기업입니다.
자세한 사항은 하기 Web 사이트를 참조하여 주십시오. https://www.ancora-semi.com/EN
<용어 설명>
※1 : GaN HEMT
GaN (갈륨 나이트라이드 / 질화 갈륨)이란, 차세대 파워 디바이스에 사용되는 화합물 반도체 재료. 일반적인 반도체 재료인 실리콘에 비해 물성이 우수하고, 고주파 특성을 활용하여 채용이 시작되고 있다.
HEMT란, High Electron Mobility Transistor (고전자 이동도 트랜지스터)의 약칭이다.
※2 : RDS (ON)×Ciss / RDS (ON)×Coss
디바이스 성능을 평가하는 지표로, Ciss는 입력 측, Coss는 출력 측에서 본 전체 용량을 뜻한다.
이 수치가 낮을수록 스위칭 속도가 빠르고, 스위칭 시의 손실이 적어진다.
※3 : ESD (Electro-Static Discharge : 정전기 방전)
인체와 전자기기 등 전기를 지닌 물체끼리 접촉하여 정전기 (서지)가 발생한다. 이러한 정전기 (서지)는 회로나 기기의 오동작이나 파괴를 일으킨다.
업계 최고 수준※의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT 양산 개시!
서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템의 고효율화 및 소형화에 최적
※2023년 4월 27일 로옴 조사
2023년 4월 27일
<개요>
로옴 주식회사 (이하, 로옴)는 서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템에 최적인 650V 내압 GaN (갈륨 나이트라이드 / 질화 갈륨) HEMT※1 「GNP1070TC-Z」, 「GNP1150TCA-Z」의 양산을 개시하였습니다.
신제품은 Delta Electronics, Inc. (이하, 델타 전자)의 관계 회사로서 GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora Semiconductors Inc. (이하, Ancora)와 공동으로 개발하였으며, 650V GaN HEMT의 디바이스 성능 지수 (RDS (ON)×Ciss / RDS (ON)×Coss※2)에서 업계 최고 수준을 실현하였습니다. 이에 따라 스위칭 손실을 크게 삭감할 수 있어, 전원 시스템의 고효율화가 가능해집니다. 또한, ESD※3 보호 소자를 내장함으로써 정전 파괴 내량이 3.5kV까지 향상되어, 어플리케이션의 고신뢰화에 기여합니다. 그리고, GaN HEMT의 특징을 활용한 고속 스위칭 동작으로 주변 부품의 소형화에도 기여합니다.
신제품은 2023년 4월부터 양산을 개시 (샘플 가격 5,000엔 / 개, 세금 불포함)하였으며, Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능합니다.
로옴은 어플리케이션의 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 「EcoGaN™ 시리즈」로 라인업하여, 디바이스 성능을 한층 더 향상시키기 위해 노력하고 있습니다. 또한, 디바이스 개발과 더불어, 전략적 파트너십 체결 및 공동 개발을 추진하여 어플리케이션의 고효율화 및 소형화를 실현함으로써 사회적 과제 해결에 기여하고 있습니다.
<배경>
탈탄소 사회의 실현을 위해, 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원이나 모터의 효율 개선은 전 세계적인 사회 과제로 중요시되고 있습니다. 이러한 효율 개선의 열쇠가 되는 것이 파워 디바이스이며, 각종 전원의 한차원 높은 고효율화를 위해, SiC (실리콘 카바이드 / 탄화 규소) 및 GaN 등 신재료의 활용이 기대를 모으고 있습니다.
로옴은 2022년에 업계 최고※인 8V까지 게이트 내압을 높인 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시하였으며, 2023년 3월에는 GaN 성능을 최대화시키는 제어 IC 기술을 확립하였습니다. 그리고, 더 폭넓은 전원 시스템의 고효율화 및 소형화에 기여하기 위해, 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 개발하였습니다.
<EcoGaN™>
EcoGaN™은 GaN의 성능을 최대화시킴으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 모두 지향하여, 저전력 · 소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스입니다.
・EcoGaN™은 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
<제품 라인업>
시트
소스
전압
VDSS[V]
전류
ID[A]
TC=25℃
소스
ON 저항
RDS(on)(Typ.)
[mΩ]
총 전하량
Qg(Typ.)
[nC]
Ciss(Typ.)
[pF]
Coss(Typ.)
[pF]
[mm]
[8.0×8.0×0.9]
[8.0×8.0×0.9]
<어플리케이션 예>
서버 및 AC 어댑터를 비롯한 산업기기에서 민생기기까지의 폭넓은 전원 시스템
<온라인 판매 정보>
판매 시기 : 2023년 4월부터
판매 사이트 : Chip 1 Stop, CoreStaff 등
온라인 부품 유통 사이트에서 순차적으로 판매
1개부터 구입 가능
<Ancora Semiconductors Inc.>
전원 및 트랜스 등을 취급하는 대만 델타 전자 (Delta Electronics, Inc.)의 관계 회사로, GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora는 2022년 7월에 설립된 벤처 기업입니다.
자세한 사항은 하기 Web 사이트를 참조하여 주십시오.
https://www.ancora-semi.com/EN
<용어 설명>
HEMT란, High Electron Mobility Transistor (고전자 이동도 트랜지스터)의 약칭이다.
이 수치가 낮을수록 스위칭 속도가 빠르고, 스위칭 시의 손실이 적어진다.
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