로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 무선 이어폰 등 히어러블 단말기를 비롯한 웨어러블 기기, 스마트폰 등 소형 · 박형기기의 스위칭에 최적인, 소형 & 고효율의 20V 내압 Nch MOSFET※1 「RA1C030LD」를 개발하였습니다. 신제품은 로옴의 독자적인 IC 프로세스를 응용한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지※2 DSN1006-3 (1.0mm×0.6mm)을 채용하여, 소형화와 동시에 낮은 전력 손실을 실현하였습니다. 도통 손실과 스위칭 손실의 관계를 나타내는 지표 (ON 저항※3×Qgd※4)에서, 패키지가 동일한 일반품에 비해 최대 약 20% 향상된 업계 최고 수준 (1.0mm×0.6mm 이하 패키지 비교)을 달성하여, 각종 소형기기의 기판 상 부품 면적 삭감과 고효율화에 크게 기여합니다. 또한, 로옴의 독자적인 패키지 구조를 통해, 측벽의 절연 보호를 실현 (동일 패키지 일반품은 절연 보호 없음)하였습니다. 면적의 제약으로 인해 부품의 고밀도 실장이 필요한 소형기기에서, 부품간 접촉으로 인한 단락 (쇼트) 리스크를 낮출 수 있어, 안전 동작에 기여합니다. 신제품은 2022년 11월부터 월 1,000만개의 생산 체제로 양산을 개시 (샘플 가격 : 100엔 / 개, 세금 불포함)하였으며, Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서도 구입이 가능합니다. 로옴은 한층 더 낮은 ON 저항을 실현한 제품 및 소형 제품의 개발을 추진하여, 각종 소형기기의 고효율화에 기여함으로써, 환경 보호 등 사회 과제의 해결에 기여해 나갈 것입니다.
1개부터 구입 가능
＜배경＞
최근, 소형기기의 고기능화에 따라 기기 내에서 필요로 하는 전력량이 증가하고 있습니다. 이에 따른 배터리 사이즈의 대형화로 인해 부품의 실장 스페이스는 감소하고 있습니다. 또한, 배터리의 대형화에는 한계가 있으므로, 한정된 배터리 전력을 효율적으로 사용하기 위해, 탑재된 부품에는 한층 더 강력한 전력 손실 억제가 요구되고 있습니다. 이러한 상황에서, MOSFET에서는 소형화가 용이하고 특성이 우수한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지를 채용한 개발이 업계의 주류가 되고 있습니다. 로옴은 IC 메이커로서의 강점을 활용하여, 디스크리트의 기존 프로세스에서는 커졌던 배선 저항을, IC 프로세스를 활용함으로써 대폭 삭감하여, 전력 손실을 억제한 소형 MOSFET를 개발하였습니다.
◇무선 이어폰 등 히어러블 단말기 ◇스마트 워치, 스마트 안경, 액션 카메라 등 웨어러블 기기 ◇스마트폰
기타, 폭넓은 소형 · 박형기기의 스위칭에 채용 가능합니다.
＜온라인 판매 정보＞
판매 시기 : 2022년 11월부터 판매 사이트 : Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 순차적으로 판매 예정
＜용어 설명＞
※1 : Nch MOSFET 소스에 대해 플러스 전압을 게이트에 인가하면 도통 상태가 되는 타입의 MOSFET. Pch MOSFET보다 드레인 – 소스간 ON 저항이 작아지므로, 정상 손실을 줄일 수 있다.
※2 : 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 웨이퍼 상태로 단자의 형성 및 배선 등을 실시한 후, 다이싱 공정을 거친 초소형 패키지. 웨이퍼를 다이싱 공정 후 수지로 몰딩하여 단자 등을 형성하는 일반적인 패키지와 달리, 패키지를 내부의 반도체 칩과 동일한 사이즈로 만들 수 있어, 패키지의 소형화가 가능하다.
※3 : ON 저항 MOSFET ON 시의 드레인 – 소스간 저항치. 수치가 작을수록 도통 시의 손실 (전력 손실)이 작아진다.
※4 : Qgd (게이트 – 드레인간 전하량) MOSFET가 ON 동작을 시작한 후, 게이트 – 드레인간 용량을 충전할 때까지의 전하량. 수치가 작을수록 고속 스위칭이 가능하여, 스위칭 시의 손실 (전력 손실)이 작아진다.
소형 사이즈로 업계 최고 수준※의 낮은 전력 손실! 독자적인 절연 구조로,
소형기기의 고효율화와 안전 동작에 기여하는 MOSFET 개발
소형 패키지로 무선 이어폰 및 웨어러블 기기 등, 소형 · 박형기기에 최적
※2022년 11월 10일 현재 로옴 조사
2022년 11월 10일
＜개요＞
로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 무선 이어폰 등 히어러블 단말기를 비롯한 웨어러블 기기, 스마트폰 등 소형 · 박형기기의 스위칭에 최적인, 소형 & 고효율의 20V 내압 Nch MOSFET※1 「RA1C030LD」를 개발하였습니다.
신제품은 로옴의 독자적인 IC 프로세스를 응용한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지※2 DSN1006-3 (1.0mm×0.6mm)을 채용하여, 소형화와 동시에 낮은 전력 손실을 실현하였습니다. 도통 손실과 스위칭 손실의 관계를 나타내는 지표 (ON 저항※3×Qgd※4)에서, 패키지가 동일한 일반품에 비해 최대 약 20% 향상된 업계 최고 수준 (1.0mm×0.6mm 이하 패키지 비교)을 달성하여, 각종 소형기기의 기판 상 부품 면적 삭감과 고효율화에 크게 기여합니다. 또한, 로옴의 독자적인 패키지 구조를 통해, 측벽의 절연 보호를 실현 (동일 패키지 일반품은 절연 보호 없음)하였습니다. 면적의 제약으로 인해 부품의 고밀도 실장이 필요한 소형기기에서, 부품간 접촉으로 인한 단락 (쇼트) 리스크를 낮출 수 있어, 안전 동작에 기여합니다.
신제품은 2022년 11월부터 월 1,000만개의 생산 체제로 양산을 개시 (샘플 가격 : 100엔 / 개, 세금 불포함)하였으며, Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서도 구입이 가능합니다.
로옴은 한층 더 낮은 ON 저항을 실현한 제품 및 소형 제품의 개발을 추진하여, 각종 소형기기의 고효율화에 기여함으로써, 환경 보호 등 사회 과제의 해결에 기여해 나갈 것입니다.
＜배경＞
최근, 소형기기의 고기능화에 따라 기기 내에서 필요로 하는 전력량이 증가하고 있습니다. 이에 따른 배터리 사이즈의 대형화로 인해 부품의 실장 스페이스는 감소하고 있습니다. 또한, 배터리의 대형화에는 한계가 있으므로, 한정된 배터리 전력을 효율적으로 사용하기 위해, 탑재된 부품에는 한층 더 강력한 전력 손실 억제가 요구되고 있습니다.
이러한 상황에서, MOSFET에서는 소형화가 용이하고 특성이 우수한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지를 채용한 개발이 업계의 주류가 되고 있습니다. 로옴은 IC 메이커로서의 강점을 활용하여, 디스크리트의 기존 프로세스에서는 커졌던 배선 저항을, IC 프로세스를 활용함으로써 대폭 삭감하여, 전력 손실을 억제한 소형 MOSFET를 개발하였습니다.
＜신제품의 주요 특성＞
시트
전압
[V]
전류
VGS=4.5V
[A]
VGS=4.5V
(Typ.)[mΩ]
드레인간
전하량
VGS=4.5V
(Typ.)[nC]
[mm]
RA1C030LD
DSN1006-3
(1.0mm×0.6mm×0.22mm)
＜어플리케이션 예＞
◇무선 이어폰 등 히어러블 단말기
기타, 폭넓은 소형 · 박형기기의 스위칭에 채용 가능합니다.◇스마트 워치, 스마트 안경, 액션 카메라 등 웨어러블 기기
◇스마트폰
＜온라인 판매 정보＞
판매 시기 : 2022년 11월부터
판매 사이트 : Chip 1 Stop, CoreStaff 등
온라인 부품 유통 사이트에서 순차적으로 판매 예정
＜용어 설명＞
※1 : Nch MOSFET
소스에 대해 플러스 전압을 게이트에 인가하면 도통 상태가 되는 타입의 MOSFET.
Pch MOSFET보다 드레인 – 소스간 ON 저항이 작아지므로, 정상 손실을 줄일 수 있다.
※2 : 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
웨이퍼 상태로 단자의 형성 및 배선 등을 실시한 후, 다이싱 공정을 거친 초소형 패키지. 웨이퍼를 다이싱 공정 후 수지로 몰딩하여 단자 등을 형성하는 일반적인 패키지와 달리, 패키지를 내부의 반도체 칩과 동일한 사이즈로 만들 수 있어, 패키지의 소형화가 가능하다.
※3 : ON 저항
MOSFET ON 시의 드레인 – 소스간 저항치. 수치가 작을수록 도통 시의 손실 (전력 손실)이 작아진다.
※4 : Qgd (게이트 – 드레인간 전하량)
MOSFET가 ON 동작을 시작한 후, 게이트 – 드레인간 용량을 충전할 때까지의 전하량. 수치가 작을수록 고속 스위칭이 가능하여, 스위칭 시의 손실 (전력 손실)이 작아진다.
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