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10V 구동 타입 Nch MOSFET - R6004ENJ

전계 효과 트랜지스터 MOSFET입니다. 미세 프로세스를 채용한 「초저 ON 저항 디바이스」를 통해 폭넓은 분야에서 응용 가능한 파워 MOSFET를 제공합니다. 용도에 따라 소형 · 하이파워 · 복합화가 가능한 풍부한 라인업을 구비하여 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | R6004ENJTL
상태 | 공급중
패키지 | LPTS(D2PAK)
포장 수량 | 1000
최소 포장 단위 | 1000
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Grade

Standard

Package Code

TO-263(D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

4.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.9

Total gate charge Qg[nC]

15.0

Power Dissipation (PD)[W]

40.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

특징 :

・ Low on-resistance.
・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant