GNE1007TB (개발중)
EcoGaN™, 150V 20A DFN5060, E-mode GaN HEMT
GNE1007TB
GNE1007TB (개발중)
EcoGaN™, 150V 20A DFN5060, E-mode GaN HEMT
GNE1007TB는 8V 게이트 내압의 150V GaN HEMT입니다. 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 성능을 최대화시킴으로써, 저전력 · 소형화에 기여하는 EcoGaN™ 시리즈의 제품입니다. 전원 효율은 1MHz의 고주파 대역에서도 96.5% 이상을 실현하였습니다. 또한, 대전류 대응 및 방열성이 우수하고 범용성이 높은 DFN 패키지로 실장 공정에서의 핸들링이 용이합니다.
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
VDS [V]
150
IDS [A]
20
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
7
Qg [nC]
10.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
특징 :
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
Reference Design / Application Evaluation Kit
-
- Reference Design - REFPDT006
- Industry 48V, 400W Isolated DC-DC Converter with EcoGaN™
These are 48V isolated DC/DC converter reference design equipped with EcoGaN™, a next-generation device that is expected to greatly contribute to energy saving and miniaturization of equipments. Taking advantage of EcoGaN™'s device features, it is driven at high-speed switching frequencies (~500 kHz) , resulting in smaller transformers and inductors and lower capacitance.
- Full-Bridge Isolated Step Down DC-DC Converter
- High speed switching EcoGaN™
- High speed Gate Driver for GaN HEMT
- Isolated DC/DC Controller
- Smaller components area compared with Si MOSFET based solution
