5.0mm×6.0mm, 3.3mm×3.3mm 사이즈로 업계 최고※의 낮은 ON 저항을 실현한
100V 내압 듀얼 MOSFET를 5기종 라인업
통신 기지국 및 산업기기용 팬 모터에 최적! 기기의 저소비전력화 · 스페이스 절약화에 기여

※2023년 8월 3일 로옴 조사

2023년 8월 3일

＜개요＞

HSOP8/HSMT8

로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 통신 기지국 및 산업기기용 팬 모터 구동에 최적인 100V 내압의 MOSFET※1 2칩을 1개의 패키지에 탑재한 듀얼 MOSFET를 개발하여, 「HP8KEx / HT8KEx (Nch+Nch) 시리즈」 「HP8MEx (Nch+Pch※2) 시리즈」 5기종을 새롭게 구비하였습니다.
신제품은 로옴의 최신 프로세스와 이면 방열 패키지를 채용함으로써, 업계 최고의 낮은 ON 저항 (Ron)※3을 달성하였습니다 (Nch+Nch의 경우, HSOP8로 19.6mΩ, HSMT8로 57.0mΩ). 일반적인 듀얼 MOSFET에 비해 ON 저항을 최대 56％ 저감하여, 기기의 저소비전력화에 크게 기여합니다. 또한, 2개의 칩을 1개의 패키지에 탑재함으로써 면적을 삭감할 수 있어, 기기의 스페이스 절약화에 기여합니다. 예를 들어, HSOP8의 경우, 1칩 내장의 싱글 MOSFET (TO-252) 2개를 대체하여 사용할 수 있으므로, 면적을 77％ 삭감할 수 있습니다.
신제품은 7월부터 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시 (샘플 가격 : 550엔 / 개, 세금 불포함) 하였습니다. 또한, 온라인 판매도 개시하여 Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능합니다.
로옴은 듀얼 MOSFET 제품으로, 산업기기용 내압 라인업 확충 및 Low Noise 제품의 개발을 추진하고 있습니다. 이에 따라 향후 폭넓은 어플리케이션의 저소비전력화와 스페이스 절약화에 기여함으로써 환경 보호 등 사회 과제 해결에 기여해 나갈 것입니다.

＜배경＞

최근 통신 기지국 및 산업기기에서는 전류치를 낮추어 고효율화를 실현하기 위해, 기존의 12V / 24V 계통에서 48V 계통으로 전원의 고내압화가 추진되고 있습니다. 그리고, 이러한 기기를 냉각시키기 위한 팬 모터에도 48V 계통의 전원이 사용됨에 따라, 스위칭 용도의 MOSFET에는 전압 변동을 고려하여 100V 내압 제품이 요구되고 있습니다. 그러나, 내압을 높이게 되면, 트레이드 오프 관계인 ON 저항도 높아져 효율이 악화되기 때문에 고내압화와 낮은 ON 저항화를 동시에 실현하는 것이 과제로 중요시되고 있습니다. 일반적으로 팬 모터의 경우, 여러 개의 구동용 MOSFET가 사용되고 있으므로, 스페이스 절약의 관점에서 2개의 칩을 1개의 패키지에 탑재한 듀얼 MOSFET의 채용이 가속화되고 있습니다.
이러한 상황에서 로옴은 최신 프로세스를 사용하여 Nch, Pch의 MOSFET 칩을 개발하고, 방열성이 우수한 이면 방열 패키지를 채용함으로써 업계 최고의 낮은 ON 저항을 실현한 새로운 시리즈를 개발하였습니다.

100V 제품 듀얼 MOSFET (Nch+Nch)의 일반품과 신제품의 ON 저항 비교
기존품과 신제품의 면적 비교

＜제품 라인업＞

Nch+Nch 듀얼 MOSFET

품명 데이터
시트		 극성
[ch]		 VDSS
[V]		 ID[A]
TC=25℃		 PD[W]
TC=25℃		 RDS(on)[mΩ] 패키지
[mm]
VGS=10V VGS=4.5V
Typ Max. Typ. Max.
NewHP8KE6 PDF N＋N 100 17 21 41 54 53 73 HSOP8
HSOP8
(5.0×6.0×1.0)
NewHP8KE7 PDF 24 26 15.1 19.6 18.6 27.8
NewHT8KE5 PDF N＋N 100 7 13 148 193 200 300 HSMT8
HSMT8
(3.3×3.3×0.8)
NewHT8KE6 PDF 13 14 44 57 56 83

 

Nch+Pch 듀얼 MOSFET

품명 데이터
시트		 극성
[ch]		 VDSS
[V]		 ID[A]
TC=25℃		 PD[W]
TC=25℃		 RDS(on)[mΩ] 패키지
[mm]
VGS=10V VGS=4.5V
Typ Max. Typ. Max.
NewHP8ME5 PDF N＋P 100 8.5 20 148 193 200 300 HSOP8
HSOP8
(5.0×6.0×1.0)
－100 －8.0 210 273 233 303

※40V, 60V, 80V, 150V 제품의 라인업을 순차적으로 구비해 나갈 예정입니다.

＜어플리케이션 예＞

・통신 기지국용 팬 모터
・FA 기기 등의 산업기기용 팬 모터
・데이터 센터 등의 서버용 팬 모터

3상 Brushless 모터 회로
단상 Brushless 모터 회로

＜프리 드라이버 IC와의 조합으로, 최적의 모터 구동 솔루션 제공＞

본 제품은, 풍부한 채용 실적을 자랑하는 로옴의 단상 / 3상 Brushless 모터용 프리 드라이버 IC와 조합하여 사용하면, 한층 더 모터 기판의 소형화, 저소비전력화, 정음 구동이 가능해집니다. 듀얼 MOSFET 시리즈와 프리 드라이버 IC를 조합한 주변 회로 설계의 토탈 서포트를 통해, 고객의 요구에 대응하는 최적의 모터 구동 솔루션을 제공합니다.

100V 내압 듀얼 MOSFET와의 조합 예
■HT8KE5 (Nch+Nch 듀얼 MOSFET)와 BM64070MUV (3상 Brushless 모터용 프리 드라이버 IC)
■HP8KE6 (Nch+Nch 듀얼 MOSFET)과 BM64300MUV (3상 Brushless 모터용 프리 드라이버 IC) 등

＜온라인 판매 정보＞

판매 시기 : 2023년 8월부터
판매 사이트 : Chip 1 Stop, CoreStaff 등
온라인 부품 유통 사이트에서 순차적으로 판매 예정

1개부터 구입 가능

  • Chip 1 Stop
  • CoreStaff

＜모터용 신제품 사양서 다운로드 페이지＞

로옴 공식 WEB 사이트에서, 신제품을 비롯한 저내압, 중 / 고내압 MOSFET의 사양서를 다운로드할 수 있습니다.
https://www.rohm.co.kr/new-product/middle-power

＜용어 설명＞

※1 : MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
금속 – 산화물 – 반도체 전계 효과 트랜지스터.
FET 중에서는 가장 일반적으로 사용되는 구조이며, 스위칭 소자로서 사용된다.
※2 : Pch MOSFET / Nch MOSFET
Pch MOSFET : 소스에 대해 마이너스의 전압을 게이트에 인가하면 도통 상태가 되는 타입의 MOSFET.
입력전압보다 낮은 전압으로 구동 가능하므로, 회로 구성이 용이하다.
Nch MOSFET : 소스에 대해 플러스의 전압을 게이트에 인가하면 도통 상태가 되는 타입의 MOSFET.
Pch MOSFET보다 드레인 – 소스간 ON 저항이 작아지므로, 정상 손실을 줄일 수 있다.
※3 : ON 저항 (Ron)
MOSFET를 동작 (ON)시킬 때의 드레인 – 소스간 저항치. 수치가 작을수록 동작 시의 loss (전력 손실)가 작아진다.

＜신제품 프레젠테이션 자료 "Featured Products"＞

Featured Products
통신 기지국 및 산업기기용 팬 모터 구동에 최적
업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한
100V 내압 듀얼 MOSFET (PDF : 1.45MB)