앞으로 더욱 보급될 「하이브리드 카」 및 「전기 자동차」를 지탱하는 고출력 · 고효율 인버터용으로 대전류 트렌치 MOSFET의 연구를 추진하고 있습니다. 소자 구조는 단위 면적당 높은 전류 밀도를 실현할 수 있는 트렌치 구조를 채용하여, 단일 칩으로 300A 구동이 가능한 소자를 지향하고 있습니다.

• 단일 칩으로 300A 구동이 가능한 SiC 트렌치 MOSFET

• 고온 동작 가능, 저전력손실의 전력 변환 디바이스
• 하이브리드 카, 전기 자동차, 산업기기 등의 각종 인버터