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4V Drive Nch MOSFET - RXH100N03

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | RXH100N03GZETB
상태 | 공급중
패키지 | SOP8
포장 수량 | 2500
최소 포장 단위 | 2500
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Grade

Standard

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

10.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.013

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0095

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.013

Total gate charge Qg[nC]

11.0

Power Dissipation (PD)[W]

2.0

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

특징 :

ᆞ4V 구동 타입 Nch 미들 파워 MOSFET