RE1C002UN
1.2V Drive Nch MOSFET

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.

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Product Detail

 
형명 | RE1C002UNTCL
상태 | 추천품
패키지 | EMT3F
포장 수량 | 3000
최소 포장 단위 | 3000
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Package Code

SOT-416FL

JEITA Package

SC-89

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

1.2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.8

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.85)

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