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2.5V Drive Pch+SBD MOSFET - QS5U26

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | QS5U26TR
상태 | 공급중
패키지 | TSMT5
포장 수량 | 3000
최소 포장 단위 | 3000
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Grade

Standard

Package Code

SOT-25T

Package Size[mm]

2.9x2.8(t=1.0Max.)

Number of terminal

5

Polarity

Pch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-20

Drain Current ID[A]

-1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

0.26

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.16

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.26

Total gate charge Qg[nC]

4.2

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

-2.5

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

0.5

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

2.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

특징 :

ᆞ2.9 × 2.8mm 의 실장 면적으로 하이파워, 스페이스 절약을 실현한 MOSFET