신규 설계 비추천
SCS306AP
Silicon carbide Schottky Barrier Diode
SCS306AP
신규 설계 비추천
SCS306AP
Silicon carbide Schottky Barrier Diode
기존 고객을 서포트하기 위해 생산하는 제품입니다. 신규 설계용으로는 판매하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
6
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
46
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.2x15.6 (t=4.7)
특징 :
- Shorter recovery time
- Reduced temperature dependence
- High-speed switching possible
- High surge current capability
