SCT2H12NZ
SiC MOSFET
SCT2H12NZ
SiC MOSFET
SCT2H12NZ는 1700V 3.7A의 Nch SiC 파워 MOSFET입니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
1150
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
3.7
Total Power Dissipation[W]
35
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
특징 :
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Long creepage distance
- Simple to drive
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
Supporting Information
제품 개요
Si의 한계를 뛰어넘은 디바이스로서 주목받고 있는 SiC 디바이스. 고성능화를 위한 재료로서 큰 기대를 모으고 있습니다.
고전압 · 대전력의 산업기기 아이템에 탑재되는 보조 전원 유닛은 기존에는 1000V 내압에 대응하는 Si-MOSFET가 사용됩니다. 이를 고효율 SiC-MOSFET로 대체하여 사용할 경우, 발열 저감을 통한 히트싱크 등 부품 삭감을 기대할 수 있습니다.
로옴은 이번에 새롭게 1700V 클래스 제품을 개발하였으며, SiC-MOSFET를 용이하게 평가할 수 있도록 평가용 기판도 구비하고 있습니다.
평가 기판
로옴은 종합 반도체 메이커로서 SiC 디바이스와 조합하여 사용 가능한 IC를 다양하게 구비하고 있습니다. 이번 신제품 「SCT2H12NZ」와 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」, 이 두 제품을 실장한 평가 보드 「BD7682FJ-LB-EVK-402」의 인터넷 판매를 개시하였습니다.
샘플, 보드를 1개부터 구입 가능
특징 1 : 산업기기의 보조 전원에 최적
산업기기의 보조 전원에 사용되는 1500V 내압의 Si-MOSFET와 비교 시, 1700V 내압과 동시에 1/8의 ON 저항 1.15Ω을 실현하였습니다.
또한, 패키지로 TO-3PFM을 채용함으로써 산업기기에 요구되는 연면 거리 (절연물의 표면을 따라 계측한 거리)를 확보하였습니다.
특징 2 : 전용 IC와 함께 사용하여 극적인 고효율화 달성
SiC-MOSFET의 성능을 최대화시키는 로옴의 SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」와 함께 사용할 경우, 최대 6%의 고효율화를 실현할 수 있습니다 (로옴 조사).
동시에 발열도 저감할 수 있어, 방열 부품의 소형화가 가능합니다.
라인업
TO-3PFM
Reference Design / Application Evaluation Kit
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- Evaluation Board - BD7682FJ-LB-EVK-402
Isolation Fly-back Converter Quasi-Resonant Method Output 24 W 24 V
-
- Evaluation Board - BD7682FJ-LB-EVK-302
The BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.
