RGTVX6TS65
단락 내량 2µs, 650V 80A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
RGTVX6TS65
RGTVX6TS65
단락 내량 2µs, 650V 80A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
RGTVX6TS65는 Low VCE(sat), 낮은 스위칭 손실의 IGBT입니다. PFC, 태양광 인버터, UPS, 용접기, IH 등의 어플리케이션에 최적입니다.
Data Sheet
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Series
TV: For inverter (tsc 2µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
80
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
34
tsc(Min.) [us]
2
Pd [W]
404
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
특징 :
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching & Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 2μs
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
