GaN HEMT

GaN (질화 갈륨)은 차세대 파워 디바이스로서 주목받고 있는 화합물 반도체 재료입니다. 기존의 실리콘 디바이스에 비해 우수한 스위칭 성능 및 고주파 성능으로, 시장에서의 채용이 확대되고 있습니다.
또한, 실리콘 디바이스보다 ON 저항이 낮아, 대부분의 어플리케이션에서 대폭적인 저소비전력화 및 소형화를 기대할 수 있습니다.

150V GaN HEMT

게이트 - 소스 최대 정격전압을 8V로 향상시킴으로써 기지국, 데이터 센터를 비롯한 다양한 산업기기에 최적입니다.

650V GaN HEMT

650V 내압 GaN 디바이스로서 전원의 고효율화로 이어지는 업계 최고 수준의 FOM (Figure of Merit)을 실현함으로써, 스위칭 손실을 크게 삭감할 수 있어 폭넓은 전원 시스템의 고효율화에 기여합니다.

로옴은 어플리케이션의 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 「EcoGaN™ 시리즈」로 라인업하여, 디바이스의 한차원 높은 성능 향상을 위한 제품을 전개하고 있습니다. 또한, 디바이스 개발과 더불어 전략적 파트너십 체결 및 공동 개발도 추진하여 어플리케이션의 고효율화, 소형화에 기여함으로써 사회 과제의 해결에 기여합니다.
* EcoGaN™은 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.