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  • 절대최대정격을 한 순간 넘어서도 사용할 수 있습니까?
    • 절대최대정격은 한 순간이라도 넘어서는 안됩니다. 브레이크 다운으로 트랜지스터가 파괴되거나, hFE 가 저하하는 등 열화될 가능성이 있습니다. 단발 펄스의 경우, 사용 가능한 범위는 안전동작영역 (SOA) 을 확인하십시오. 연속 펄스의 경우에는 전력 계산이나 소자 온도 계산이 필요합니다. 자세한 판단 순서는 "사용 가능여부 판단 방법"ᆞ"소자 온도의 계산 방법" 을 참조하십시오.
      (또, "Derating" 에 관한 항목도 참조하십시오.)
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
  • 콜렉터 에미터 간에 내압과 역방향 전압을 인가할 수 있습니까?
    • NPN 트랜지스터의 경우, 에미터를 GND 로서 콜렉터에 + 전압을 인가하였을 때의 내압이 사양서에 기재되어 있는 VCEO 입니다. (PNP 트랜지스터의 경우, 콜렉터를 GND 로서 에미터에 + 전압을 인가하였을 때의 내압이 VCEO 입니다.)
      이와 역방향 (NPN 의 경우, 콜렉터를 GND 로서 에미터에 + 전압을 인가했을 경우) 내압은 에미터 베이스 간의 내압과 거의 같습니다. 에미터 베이스 간 내압은 통상 5-7V 정도이므로, 콜렉터-에미터 간의 역방향 전압은 5V 이하로 사용하시기 바랍니다. (콜렉터-에미터 간 역방향에 내압에 가까운 전압을 가하면 hFE 저하 등의 열화가 발생할 수 있습니다.) 콜렉터-에미터 간 역방향 전압이 5V 이하라면, 전류는 리크 전류 정도만 흐르게 됩니다.





      디지털 트랜지스터도 상기와 동일하게 콜렉터-에미터 간 (OUT-GND 간) 역방향으로는 5V까지 전압을 인가할 수 있지만, GND-IN 사이에 저항이 들어가는 경우에는, 저항을 통해 전류가 흐릅니다.
    • Products: General Purpose Bipolar Transistors , Complex Transistors , Darlington Transistors
  • 주위온도가 변할 경우 어떠한 사항에 주의해야 합니까?
    • 허용손실 (Pc) 은 주위온도 (Ta) 에 따라 경감 (derating) 할 필요가 있습니다. 아래 그래프에서 디지털 트랜지스터에 가해지는 전력을 주위온도에 따라 경감하십시오.



      안전 동작 영역 (SOA) derating 도 필요하므로 자세한 내용은 "로옴의 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위한 TR 사용 가능 여부 판단 방법" 을 참조하십시오.
      또 전기적 특성으로는 예를 들어 바이폴라 트랜지스터 / 디지털 트랜지스터의 경우 입력전압 (VBE, VI(on), VI(off),) 과 hFE, GI는 온도에 따라 특성이 변동합니다. 전기적 특성 곡선 그래프에서 온도가 변화한 경우에도 동작에 문제가 없도록 설계하십시오. MOSFET 도 동일한 배려가 필요합니다.
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
  • 할로겐 프리화를 하는 이유는 무엇입니까?
    • 기존에는 RoHS 지침에 대응하는 브롬계 난연제를 포함한 몰드 수지를 사용하였으나, 환경 영향을 한층 더 저감하기 위해, 할로겐 프리 수지를 채용하고 있습니다.
      로옴의 할로겐 프리의 정의(균질 재료 속에) :
      (1)염소가 900ppm 이하
      (2)브롬이 900ppm 이하
      (3)염소 및 브롬의 합계 함유율이 1500ppm 이하
      (4)이산화 안티몬이 1000ppm 이하
      이는 IEC61249의 규정에 적합하며, 환경 관리가 까다로운 유럽 주요 메이커의 요구치를 만족하는 것입니다.
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
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