제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 SCS3xxA 시리즈 제품 정보 공개 | 로옴 주식회사 - ROHM Semiconductor
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제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드
SCS3xxA 시리즈 제품 정보 공개
제품 개요
전원기기의 PFC 회로에 사용하는 Si 패스트 리커버리 다이오드 (FRD)를 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD)로 대체하여 사용함으로써, 연속 모드 동작 시 고효율화를 실현할 수 있습니다.
로옴은 예전부터 업계 최소 수준의 Low VF 특성을 지닌 제2세대 SiC-SBD를 공급해왔습니다. 이번에 높은 서지 전류 내량을 동시에 실현한 SCS3xxA 시리즈 (제3세대 SiC-SBD)를 라입업하여, 한층 더 전원 PFC 용도에 최적인 제품을 제공합니다.
특징 1 : Low VF & 높은 서지 내량으로 전원 PFC 용도에 최적
높은 서지 전류 내량을 실현하기 위해, JBS (Junction Barrier schottky) 구조를 채용하였습니다.
JBS 구조의 특징인 서지 전류 내량 향상 및 리크 특성 개선과 더불어, 제2세대 SiC-SBD에서 실현한 Low VF 특성을 한층 더 개선하여, 보다 고성능의 제품으로 전개하고 있습니다.
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ROHM 제3세대 SiC-SBD |
ROHM 제2세대 SiC-SBD |
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| 절대 최대 정격 | |||
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서지 전류 내량 10msec, sin wave TO-220AC package |
82A | 40A | |
| 전기적 특성 | |||
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VF(V) Typ. |
Tj=25°C | 1.35 | 1.35 |
| Tj=150°C | 1.44 | 1.55 | |
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IR(µA) Typ. |
Tj=25°C | 0.03 | 2 |
| Tj=150°C | 2 | 30 | |
특징 2 : 저손실 SiC-SBD로 고효율 실현
SiC-SBD는 Si-FRD에 비해 역회복 시간이 빨라 스위칭 손실이 작아지므로, 기기의 고효율화에 크기 기여할 수 있습니다.
어플리케이션
라인업
☆ : 개발중
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