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1200V / 180A Full SiC 파워 모듈 「BSM180D12P3C007」 제품 정보 공개

SiC Trench MOSFET 탑재 1200V/180A Full SiC 파워 모듈

제품 개요특징 1 |  특징 2 |  사양관련 정보

제품 개요

BSM180D12P3C007 패키지

Si의 한계를 초월한 디바이스로서 주목받고 있는 SiC 디바이스는 차원 높은 고성능화 실현이 요구되고 있습니다.
로옴은 Trench 구조를 채용한 SiC-MOSFET의 양산화에 성공하였습니다. 이미 양산중인 Planer 타입 SiC-MOSFET에 비해 ON 저항을 약 50% 저감, 입력용량을 약 35% 저감하였습니다. 이러한 디바이스를 사용하여 1200V / 180A Full SiC 파워 모듈을 제품화하였습니다.

특징 1

일반적인 싱글 Trench 구조와 로옴의 더블 Trench 구조

・더블 Trench 구조 채용으로 장기적 신뢰성 확보!

ON 저항 저감에 유효하다는 이유에서 주목받고 있는 Trench 구조의 SiC-MOSFET. 그러나, 제품화를 위해서는 장기적 신뢰성을 확보하기 위해 게이트 Trench부에 발생하는 전계 집중의 완화가 필요했습니다. 로옴은 독자적인 더블 Trench 구조를 채용함으로써 전계 집중을 완화하여, SiC Trench MOSFET의 양산화에 성공하였습니다.

특징 2

・저 ON 저항 디바이스 실현!

기존의 Planer 타입 SiC-MOSFET에 비해, 동일 칩 사이즈로 ON 저항을 약 50% 저감하였습니다. 스위칭 성능 향상 (입력용량 약 35% 저감)도 실현하여, 기기의 고효율화에 한층 더 기여할 수 있는 디바이스입니다.

ON 저항 vs 입력용량 특성
스위칭 손실 비교

사양

・SiC Trench MOS 모듈 사양

품명 절대 최대 정격 RDS(ON)
(mΩ)
패키지
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID(A)
(Ta=60℃)
Tj(℃) Tstg
(℃)
Visol(V)
(AC 1min.)
BSM180D12P3C007 1200 -4~22 180 -40 to +175 -40 to +125 2500 10 C type
SiC Trench MOSFET 모듈 사양

관련 정보

SiC Trench MOSFET 탑재 1200V / 180A Full SiC 파워 모듈 이외에도, 독자적인 기술을 활용하여 고객의 요구에 대응하는 제품 개발을 추진함과 동시에, 제품 시리즈 확충을 위해 노력하고 있습니다.

본 제품에 대한 문의