반도체 메모리란? 디바이스 원리 ＜SRAM＞
메모리 셀 구성
- 6 트랜지스터 셀로 구성
- 4 트랜지스터 셀 (고저항 부하 타입 셀) 로 구성
데이터 쓰기 방법
＜"1"의 경우＞
- Word선 전위를 high
- Bit선의 전위를 부여 （D=low, D=high） → Flip-Flop 상태 결정
- Word선 전위를 low
데이터 읽기 방법
＜"1"의 경우＞
- Word선 전위를 off
- Bit선을 프리차지 （D, D에 동일 전위)
- Word선 전위를 high
- Bit선이 low, high의 상태가 됨
- 센스 앰프로 증폭
Flip-Flop 회로에 의해 "1"、"0"을 기억
