SiC 파워 디바이스란?

SiC 반도체
SiC는 실리콘 (Si)과 탄소 (C)로 구성된 화합물 반도체 재료입니다. 절연 파괴 전계 강도가 Si의 10배, 밴드갭이 Si의 3배로 우수하여, Si의 한계를 뛰어넘는 파워 디바이스용 재료로서 주목받고 있습니다.
SiC SBD
SiC를 사용하면, 고속 디바이스 구조인 SBD (쇼트키 배리어 다이오드)구조로, 600V 이상의 고내압 다이오드를 실현할 수 있습니다. 따라서, FRD (패스트 리커버리 다이오드) 대신 사용함으로써, 리커버리 손실을 대폭 삭감할 수 있습니다.
SiC-MOSFET
SiC는 드리프트층의 저항이 Si 디바이스보다 낮기 때문에, 고속 디바이스 구조인 MOSFET로 고내압과 저저항을 동시에 실현할 수 있습니다.
SiC 파워 모듈
SiC-MOSFET와 SiC-SBD를 탑재한 SiC 파워 모듈은 IGBT의 tail 전류와 FRD의 리커버리 전류로 인해 발생하는 스위칭 손실을 대폭 저감할 수 있습니다.