SiC 쇼트키 배리어 다이오드

SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (SiC SBD / SiC Schottky Barrier Diode)는 총전하량 (Qc)이 작고, 낮은 스위칭 손실과 고속 스위칭 동작이 가능합니다. 또한, 온도 상승에 따라 trr (Reverse Recovery Time)이 증가하는 실리콘 소재의 패스트 리커버리 다이오드 (FRD)와 달리, SiC 디바이스는 일정하게 특성을 유지하므로, 회로의 성능이 향상됩니다. 따라서, 역률 보정 회로 및 인버터에 적합하며, 산업기기 및 가전제품의 사이즈를 소형화할 수 있습니다.

로옴은 우수한 서지 전류 내성과 더불어, 제2세대 SBD의 우수한 V_F특성을 한층 더 저감하는 제3세대 SiC SBD, SCS3 시리즈를 구비하고 있습니다.