Full SiC 파워 모듈

전자 기초 지식
SiC 파워 모듈의 특징

개요

SiC MOSFET와 SiC SBD를 사용한 "Full SiC" 파워 모듈 양산 개시! 로옴의 독자적인 전계 완화 구조 및 스크리닝법을 개발함으로써 디바이스의 신뢰성을 확보하여, 세계 최초로 "Full SiC" 파워 모듈의 양산 체제를 확립하였습니다. 자사의 SiC SBD · SiC MOSFET를 탑재하여 기존의 Si IGBT 대비 100kHz 이상의 고주파 동작을 실현할 수 있습니다. 고속 스위칭과 저손실화로 정격전류 200`400A의 Si-IGBT와 대체가 가능합니다.

Full SiC 파워 모듈

특징 스위칭 손실 80% 이상 저감

Full SiC 파워 모듈은 SiC의 고속 성능을 최대한으로 발휘시켰습니다.
Si IGBT에 비해 스위칭 손실을 대폭 저감할 수 있습니다.

특징

  • 고속 스위칭 가능
  • 낮은 스위칭 손실
  • 고속 리커버리
  • 낮은 인덕턴스 설계

고속 스위칭 동작 시에도 저손실 실현 고속 스위칭 동작 시에도 저손실 실현

내부 회로도

Circuit diagram

라인업

절대 최대 정격 (Tj=25°C)

품명 절대 최대 정격 (Ta=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
패키지 Thermistor 내부 회로도
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC
1min.)
NEW
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
- Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 -40 to
+150
20 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
NEW
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS -Trench Gate)
180 -40 to
+175
10 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
NEW
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 -40 to
+175
7.3 E
type
Internal Circuit Diagram(BSM300D12P2E001)

■외형 치수
External Dimensions

평가 보드

Full SiC 파워 모듈을 평가할 수 있는 게이트 드라이브 평가 보드를 구비하고 있습니다.
특징:

  • 미러 클램프 기능 내장
  • 0V⇔+18V, -3V⇔+18V 게이트 구동 선택 가능
    (부 바이어스 사용 시에는 부품의 탈착 작업이 필요합니다.)
P/N BW9499H
-EVK-01
BW9499H
-EVK-02
BW9499H
-EVK-03
BP59A8H
-EVK-01
BP59A8H
-EVK-02
SiC Module BSM180D12P3C007 BSM080D12P2C008
BSM120D12P2C005
BSM300D12P2E001
PKG PKG
Appearance Board Board
Gate Drive IC BM6101FV-C
RG ON 6.8Ω 2.2Ω 0.01Ω
RG OFF 8.2Ω 3.9Ω 0.2Ω
CGS - 5.6nF 5.6nF
Gate Turn Off Minus Zero Minus Zero Minus
Recommended VGS +18V / -2V +18V / 0V +18V / -3V +18V / 0V +18V / -3V

자세한 정보가 필요한 경우에는, 별도로 문의하여 주십시오.

어플리케이션

  • 고전압 모터 드라이브
  • 산업기기용 인버터 / 컨버터, E-모빌리티 (EV, HEV, 전철, 전동 자전거, 기타)
  • 태양광 / 풍력 발전, 전원 유닛, 유도 가열 장치
Applications

향후 전개
고내압에 대응하는 모듈 및 Trench 구조를 채용한 SiC 디바이스를 사용하여, 대전류 정격을 한층 더 실현한 제품을 개발하고, 라인업을 강화해 나갈 예정입니다.

Full SiC 파워 모듈

본 제품에 대한 문의