ROHM SiC Power Modules

개요

Full SiC Power Module

SiC MOSFET와 SiC SBD를 사용한 "Full SiC" 파워 모듈 양산 개시!
로옴의 독자적인 전계 완화 구조 및 스크리닝법을 개발함으로써 디바이스의 신뢰성을 확보하여, 세계 최초로 "Full SiC" 파워 모듈의 양산 체제를 확립하였습니다.
자사의 SiC SBD · SiC MOSFET를 탑재하여 기존의 Si IGBT 대비 100kHz 이상의 고주파 동작을 실현할 수 있습니다.

특징 스위칭 손실 80% 이상 저감

Full SiC 파워 모듈은 SiC의 고속 성능을 최대한으로 발휘시켰습니다.
Si IGBT에 비해 스위칭 손실을 대폭 저감할 수 있습니다.

특징

  • 고속 스위칭 가능
  • 낮은 스위칭 손실
  • 고속 리커버리
  • 낮은 인덕턴스 설계
고속 스위칭 동작 시에도 저손실 실현
Enables Low Loss Even During High-Speed Switching Operation

내부 회로도

circuit diagram

라인업

품명 절대 최대 정격 인덕
턴스
(nH)
패키지 서미
스터
내부 회로도
VDSS
(A)
VGS
(V)
ID (V)
[Tc=
60°C]
Tj max
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
[AC
1min.]
BSM080D12P2C008 1200 -6
~22
80 175 -40
~
125
2500 25 C type
45.6
×
122
×
17mm
- 内部回路図
BSM120D12P2C005 120
BSM180D12P3C007 -4
~22
180
BSM180D12P2E002 -6
~22
180 13 E Type
62
×
152
×
17mm
内部回路図
BSM300D12P2E001 300
BSM400D12P3G002 -4
~22
400 10 G Type
62
×
152
×
17mm
BSM600D12P3G001 600

■External Dimensions

External Dimensions

평가 보드

Full SiC 파워 모듈을 평가할 수 있는 게이트 드라이브 평가 보드를 구비하고 있습니다.

특징:

  • 미러 클램프 기능 내장
  • 0V⇔+18V, -3V⇔+18V 게이트 구동 선택 가능
    (부 바이어스 사용 시에는 부품의 탈착 작업이 필요합니다.)
P/N BW9499H-EVK-01 BW9499H-EVK-02 BW9499H-EVK-03 BP59A8H-EVK-01 BP59A8H-EVK-02 BP59A8H-EVK-03 BP59A8H-EVK-04
SiC
Module
BSM180D12P3C007 BSM080D12P2C008
BSM120D12P2C005
BSM300D12P2E001 BSM600D12
P3G001
BSM400D12
P3G002
Appea
rance
Gate Drive IC BM6101FV-C
RG ON 6.8Ω 2.2Ω 0.01Ω 1.8Ω 2.2Ω
RG OFF 8.2Ω 3.9Ω 0.2Ω 1.8Ω 2.2Ω
CGS - 5.6nF 5.6nF - -
Gate Turn Off Minus Zero Minus Zero Minus Minus Minus
Recom
mended VGS
+18V / -2V +18V / 0V +18V / -3V +18V / 0V +18V / -3V +18V / -2V +18V / -2V

어플리케이션

  • 고전압 모터 드라이브
  • 산업기기용 인버터 / 컨버터, E-모빌리티
  • 태양광 / 풍력 발전, 전원 유닛, 유도 가열 장치
본 제품에 대한 문의