ROHM SiC-MOSFET

SiC (실리콘 카바이드)는 현재의 주류인 Si (실리콘) 파워 반도체 소자에 비해 스위칭 손실이 작아, 고온 영역에서도 전기적 특성이 우수합니다.

전자 기초 지식
SiC-MOSFET의 특징

특징

  • 전력 손실 대폭 삭감, 스위칭 손실 73% 저감
    (Si IGBT 비교, 30kHz 구동 시)
  • 시스템의 소형화에 기여
  • 기생 다이오드의 역회복 동작이 매우 작음
정격전압 ON 저항
650V 120mΩ
1200V 45mΩ~450mΩ
1700V* 100mΩ~1150mΩ
손실 비교 특징 내부 다이오드의 리커버리 특성

차세대 제3세대 SiC MOSFET의 특징

차세대 제3세대 SiC MOSFET의 특징

제2세대 SiC MOSFET 대비

  • ON 저항 50%저감
  • 입력용량 (Ciss) 35%저감
라인업 예정
정격전압 ON 저항
650V 30mΩ
1200V 22mΩ*~40mΩ

사용회로 예

사용회로 예

응용 예

정격전압 600V, 특히 1000V 이상의 응용 분야에서 사용 가능합니다.

  • 산업기기
  • 에어컨 인버터
  • 태양광 발전용 인버터
  • 전기 자동차 (EV) 인버터
application
SiC MOSFET
제품 페이지
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