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SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Total Capacitive Charge (Qc)가 작으므로 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 고속 스위칭이 가능합니다. 또한, Si 패스트 리커버리 다이오드의 trr은 온도 상승에 따라 증대하는 반면, SiC는 거의 일정한 특성을 유지할 수 있습니다.


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