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SiC 파워 모듈

내장하는 파워 반도체 소자를 모두 SiC로 구성하여, Si (실리콘) IGBT 모듈에 비해 스위칭 손실을 대폭 저감할 수 있습니다. SiC-SBD, SiC-MOSFET를 탑재하여, 기존의 Si-IGBT 대비 100KHz 이상의 고주파 동작이 가능합니다.


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